铋钙铟钒铁氧体单晶材料的制备和性能--《磁性材料及器件》1988年03期

《磁性材料及器件》 1988年03期

铋钙铟钒铁氧体单晶材料的制备和性能

【摘要】：本文介绍了掺InBiCaVIG单晶的制备,结果表明该材料具有小的|K_1/M_s|和△H,低的4πM_(?),高的θ_c,较之GaYIG更适用于低频器件。对离子代换后的结果及材料的磁性能进行了讨论。

【作者单位】：
【关键词】： 铁氧体 离子代换 单晶材料 化学抛光 器件 微波频率 八面体 磁性能 稀土元素 四面体
【DOI】：CNKI:SUN:CXCQ.0.1988-03-004
【正文快照】：

一、前一」L. 声~~~白甲卜畜习工作在低微波频率的铁氧体单晶器件要求所用单晶微波材料具有低的饱和磁化强度(4二M。),于是经过离子代换后降低了4二M;的GaYIG曾被应用在低微波频段器件中。但自从1963年具有低饱和磁化强度(4二MB),高居里温度(0c)、又不含稀土元素的BICaVI

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