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离子束改性对颗粒膜巨磁电阻效应的影响

李健  胡社军  温伟祥  黄拿灿  
【摘要】:用射频磁控溅射方法在Si/SiO2 衬底上制备了 (NiFeCo) 3 6Ag64 颗粒膜。用四探针法测量了注入Co离子前后(NiFeCo) 3 6Ag64 颗粒膜巨磁电阻效应的变化。用场发射扫描电镜分析了颗粒膜的形貌及成分。实验结果表明 :注入Co离子对颗粒膜巨磁电阻有显著的影响 ,在相同退火温度下 ,注入离子可使GMR效应提高一倍以上。随着退火温度增加 ,颗粒膜巨磁电阻效应先增加而后减小 ,在 36 0℃下退火可获得 10 .2 %的最大室温巨磁电阻效应。

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