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《稀有金属材料与工程》 2007年S1期
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AgNbO_3-BaTiO_3陶瓷在准同型相界附近的电学性能研究

戴叶婧  张孝文  
【摘要】:最近的理论工作预期,可能存在一种新的无铅压电陶瓷xAgNbO3-(1-x)BaTiO3,认为在含12%AgNbO3的组分处存在准同型相界(MPB),具有良好的性能,并有较高的居里点。但是尚未见到有关这方面的实验报道。通过传统的固相反应法合成xAgNbO3-(1-x)BaTiO3陶瓷,其中取x等于0.08到0.16。首先在950℃下预烧3h合成AgNbO3-BaTiO3,然后将粉末球磨、压片后,在1150℃下进一步烧结得到样品。通过X射线衍射技术(XRD),研究了xAgNbO3-(1-x)BaTiO3的相结构,并对这一体系的电学性质进行了测试。发现x=0.12附近存在着MPB,且介电常数达到1000左右,剩余极化强度达到3.5μC/cm2,矫顽场Ec为800V/mm。xAgNbO3-(1-x)BaTiO3作为一种可供选择的无铅压电陶瓷值得进一步的研究和开发。

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