收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

氨化硅基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜性质研究

魏芹芹  薛成山  孙振翠  庄惠照  王书运  
【摘要】:研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜。用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和形貌分析。通过分析薄膜各方面的性质,得出了用此方法制备氮化镓薄膜的Al2O3缓冲层最佳的厚度为15nm左右,最佳氨化条件是在900℃下氨化15min。

知网文化
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 陈克铭,王森,陈维德,方浦明;掩膜层生长导致n-GaAs表面化学组分的变化对微波器件性能的影响[J];半导体学报;1983年04期
2 彭士元;利用长期稳定的Ga_2O_3薄膜在高温下传感还原气体[J];仪器仪表与分析监测;1995年03期
3 马英仁,孟娟,徐晓峰,张振辉;Ga_2O_3薄膜气体传感器工作机理的研究[J];哈尔滨理工大学学报;1997年03期
4 黄萍,薛成山,李秀琴,魏琴琴;管式电炉合成氮化镓晶粒的研究[J];微纳电子技术;2003年11期
5 王震,黄蕙芬,张浩康;电阻蒸发Ga_2O_3薄膜成分和结构的研究[J];电子器件;2004年01期
6 庄惠照,高海永,薛成山,王书运,董志华;Si基ZnO/Ga_2O_3氨化反应制备GaN薄膜[J];微细加工技术;2004年02期
7 孙振翠,曹文田,魏芹芹,薛成山;高温氨化Ga_2O_3形成GaN粉末[J];稀有金属材料与工程;2004年08期
8 高海永,庄惠照,薛成山,王书运,董志华,李忠;氮化Si基ZnO/Ga_2O_3制备GaN薄膜[J];微纳电子技术;2004年06期
9 高海永,庄惠照,薛成山,王书运,董志华,何建廷;竹叶状GaN纳米带的制备[J];电子元件与材料;2004年09期
10 张修太,黄蕙芬;Ga_2O_3∶Mn电致发光薄膜的微结构及光谱特性研究[J];电子器件;2004年04期
中国重要会议论文全文数据库 前3条
1 肖洪地;马洪磊;薛成山;马瑾;宗福建;张希键;计峰;胡文容;;氮化镓粉末的合成及其结构性质的研究[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅰ[C];2004年
2 薛成山;董志华;庄惠照;王书运;高海勇;田德恒;吴玉新;刘亦安;何建廷;;以Ga_2O_3自组装反应合成单晶体GaN纳米线[A];2004年中国材料研讨会论文摘要集[C];2004年
3 张杰;林崔昆;林君;;β-Ga_2O_3:Dy纳米棒束的制备和光致发光性质[A];第五届全国稀土发光材料学术研讨会论文摘要集[C];2005年
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 盖利刚;介孔分子筛制备、表征及应用[D];山东大学;2006年
中国硕士学位论文全文数据库 前3条
1 李春潮;ZnGa_2O_4基质的合成及Mn~(2+)Eu~(3+)对其光致发光性能的影响[D];中南大学;2004年
2 孙振翠;硅基扩镓溅射Ga_2O_3反应自组装和热壁化学气相沉积制备GaN薄膜的研究[D];山东师范大学;2004年
3 魏芹芹;硅基磁控溅射Ga_2O_3/Al_2O_3膜氨化反应自组装法和热壁CVD法制备GaN薄膜的研究[D];山东师范大学;2004年
中国知网广告投放
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978