收藏本站
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

氨化硅基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜的发光特性研究

魏芹芹  薛成山  孙振翠  曹文田  庄惠照  董志华  
【摘要】:研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响。样品的荧光光谱在347nm有一强发光峰,在412nm有一弱发光峰,这两个峰的强度都随着氨化温度的升高和氨化时间的增长而增强,但峰的位置保持不变。我们认为347nm的峰是GaN的带边发光峰由于薄膜中晶粒尺寸的减小而蓝移造成的,而412nm的发光峰则来源于导带到杂质受主能级的辐射复合。

知网文化
【相似文献】
中国重要会议论文全文数据库 前2条
1 石瑛;林玲;蒋昌忠;付德君;范湘军;;(Ga,Mn)N稀磁半导体的Mn~+注入制备和磁性研究[A];2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集[C];2004年
2 臧竞;巩锋;叶建萍;严建华;刘沫;;溶胶-凝胶法制备氧化锌薄膜及性能研究[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
中国博士学位论文全文数据库 前2条
1 张昊翔;硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究[D];浙江大学;2001年
2 陈香存;ZnO薄膜的制备表征、高温原位研究及毛细管聚焦研究[D];中国科学技术大学;2012年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 王知学;控制技术在GaN薄膜生长过程中的应用[D];大连理工大学;2000年
2 王宇;硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究[D];浙江大学;2001年
3 符斯列;ECR等离子体参数空间分布特性研究及制备GaN薄膜中的应用[D];华南师范大学;2004年
4 周紫光;利用表面光伏谱研究氮化镓薄膜的光电行为[D];大连理工大学;2009年
5 吴玉新;一维GaN纳米结构和GaN薄膜的制备及其特性研究[D];山东师范大学;2006年
6 杨诚;脉冲激光沉积GaN薄膜及ZnO缓冲层的影响[D];山东师范大学;2007年
7 薛守斌;硅基以ZnO为缓冲层制备GaN薄膜和一维纳米结构的研究[D];山东师范大学;2007年
8 周勋;GaN薄膜结构的高分辨X射线衍射表征及其电学特性分析[D];电子科技大学;2008年
9 陈勇;GaN LED外延片微结构分析及性能研究[D];电子科技大学;2009年
10 魏芹芹;硅基磁控溅射Ga_2O_3/Al_2O_3膜氨化反应自组装法和热壁CVD法制备GaN薄膜的研究[D];山东师范大学;2004年
中国知网广告投放
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62982499
  • 010-62783978