热处理对两种铜膜结合强度的影响

【摘要】：采用 PVD 和 CVD 技术制备 Cu/TiN/PI 试样。研究表明,TiN 薄膜可以有效地阻挡 Cu 向 PI 基板内部扩散。CVD工艺制备的 Cu 膜内部残余应力很小,Cu 膜有相对高的结合强度;而 PVD 制备的 Cu 膜,在有 TiN 阻挡层存在的情况下,Cu 膜内存在拉应力,拉应力降低了 Cu 膜结合强度。300℃退火可以消除膜内残余应力,结合强度提高。

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3	黄蕙芬,陈国平,何学梅;康铜薄膜电阻应变传感器的制作[J];传感技术学报;1992年03期
4	李光云,陈佩娴,杨年光,张振昭,曾广兴;铜薄膜电阻温度传感器的研制[J];仪表技术与传感器;1993年04期
5	李光云,陈佩娴,任进勇,黄建兴,杨年光,林大流;铜膜电阻温度传感器研制中的几个关键技术分析[J];华南师范大学学报(自然科学版);1993年02期
6	傅敏恭,龙定华,游幼,赵湛,邹子亚,杨连贵;高灵敏的酞菁铜薄膜NO_2气体传感器[J];电子学报;1993年02期
7	关若男;徐淑华;于瀛大;李日升;;非晶膜在铜的氧化过程中的行为[J];电子显微学报;1993年02期
8	陈启婴，顾冬红，何朝玲，范正修，干福熹;酞菁铜薄膜的光记录特性[J];光学学报;1994年10期
9	;新技术　新产品[J];航天技术与民品;1997年11期
10	;英发明纸张印刷电路板[J];上海包装;1997年04期

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2	席仕伟;张德;丁元萍;李福军;武蕊;李玉萍;;铜薄膜表面防护[A];中国工程物理研究院科技年报（2002）[C];2002年
3	张广平;;循环加载下金属薄膜的裂纹萌生行为及其微观机制的研究[A];第十二届全国疲劳与断裂学术会议论文集[C];2004年
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