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热处理对两种铜膜结合强度的影响

梁彤祥  刘杨秋  张世骥  
【摘要】:采用 PVD 和 CVD 技术制备 Cu/TiN/PI 试样。研究表明,TiN 薄膜可以有效地阻挡 Cu 向 PI 基板内部扩散。CVD工艺制备的 Cu 膜内部残余应力很小,Cu 膜有相对高的结合强度;而 PVD 制备的 Cu 膜,在有 TiN 阻挡层存在的情况下,Cu 膜内存在拉应力,拉应力降低了 Cu 膜结合强度。300℃退火可以消除膜内残余应力,结合强度提高。

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