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《材料科学与工程》 2002年03期
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直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱研究

汪雷  
【摘要】:ZnO是一种新型的宽带化合化半导体材料 ,对短波长的光电子器件如UV探测器 ,LED和LD有着巨大的潜在应用。本实验研究采用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,晶粒大小约为 10 0nm ,晶粒内为结晶性能完整的单晶 ,但晶粒在C轴方向存在较大的张应力。ZnO薄膜在He Cd激光器激发下有较强的紫外荧光发射 ,应力引起ZnO禁带宽度向长波方向移动 ,提高衬底温度有利于降低应力和抑制深能级的绿光发射

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【引证文献】
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1 徐庆安;张景文;杨晓东;巨楷如;贺永宁;侯洵;;生长温度对L-MBE制备的ZnO薄膜性能的影响[J];半导体光电;2006年03期
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4 徐庆安;张景文;杨晓东;巨楷如;贺永宁;侯洵;;生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响[J];人工晶体学报;2006年02期
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8 郑海务;孙利杰;张杨;张伟风;顾玉宗;傅竹西;;退火温度对6H-SiC衬底上ZnO薄膜发光性质的影响[J];人工晶体学报;2007年06期
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2 贾波;铝离子掺杂氧化锌薄膜的溶胶—凝胶法制备及性能[D];中国海洋大学;2010年
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7 薛进奎;AZO薄膜表面织构机理和表面织构均匀性的研究[D];郑州大学;2011年
8 王莹莹;磁控溅射法制备Mg_xZn_(1-x)O薄膜及性能研究[D];长春理工大学;2011年
9 隋光辉;共溅射法制备Mg_xZn_(1-x)O薄膜及光电性能研究[D];长春理工大学;2011年
10 赵春雷;氧化锌基紫外探测器的制备与研究[D];吉林建筑工程学院;2010年
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7 马瑾,李淑英;真空反应蒸发法制备ZnO透明导电薄膜[J];山东大学学报(自然科学版);1994年02期
8 林碧霞,傅竹西,贾云波,廖桂红;非掺杂ZnO薄膜中紫外与绿色发光中心[J];物理学报;2001年11期
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4 袁国栋;叶志镇;黄靖云;曾昱嘉;吕建国;汪雷;赵炳辉;;Al、N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性研究[A];TFC’03全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2003年
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1 杨小天;MOCVD法ZnO薄膜生长及其紫外探测器的制备与初步研究[D];吉林大学;2004年
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1 吕珂;脉冲激光沉积制备ZnO薄膜及其结构和发光特性分析[D];江西师范大学;2006年
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3 陈健;超声雾化热解法制备ZnO薄膜结构及其性能研究[D];北京工业大学;2004年
4 贾小龙;直流磁控溅射制备ZnO光电薄膜的研究[D];华中科技大学;2004年
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