收藏本站
《材料导报》 2011年02期
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

半导体Si载流子迁移率的统计模型计算模拟

罗衡  邓联文  易图林  黄生祥  胡照文  周克省  
【摘要】:半导体材料载流子迁移率是表征其电导特性的重要参数,在半导体材料载流子散射机制理论基础上,基于玻耳兹曼方程和Mathiessen规则,通过对具有不同热运动速度的载流子漂移速度求统计平均值,建立了Si材料载流子迁移率的玻耳兹曼统计模型,计算了模拟载流子迁移率的影响因素和变化规律,并得出电场作用下的饱和漂移速度为vdn=1.1×107cm/s,vdp=8.7×106cm/s,与基于实验数据的经验公式导出的结果基本一致,表明玻耳兹曼统计模型具有良好的适用性。

手机知网App
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 朱泳,刘艳红,魏希文,沈光地,陈建新,邹德恕;SiGe材料及其在半导体器件中的应用[J];半导体技术;2001年08期
2 顾伟东,夏冠群,冯先根,吴强,P.A.HoustonA;AlGaInP/GaAs HBT发射结空间电荷区复合电流的研究[J];半导体学报;1997年10期
3 戴显英,张鹤鸣,王伟,胡辉勇,吕懿,舒斌;应变Si_(1-x)Ge_x材料掺杂浓度的表征技术[J];半导体学报;2003年09期
4 杨玉琨,李文明,于磊,杨易,徐立兴,熊欣,王善力,黄和鸾;热壁外延制备的n-PbTe/p-Si异质结特性研究[J];半导体学报;1995年08期
5 秦福文,杨树人,刘宝林,陈佰军,刘式墉,高瑛,刘学彦,赵家龙;Ga_(0.4)In_(0.6)As/InP应变量子阱的光致发光谱与温度的关系[J];半导体杂志;1994年01期
6 吕惠民;SiC肖特基势垒二极管[J];半导体杂志;1997年02期
7 李恩玲,周如培;IGBT工作特性的理论分析[J];半导体杂志;1998年04期
8 胡林辉,谢家纯,徐军,王颖,易波;一种SiC高温温度传感器[J];传感器技术;2003年12期
9 张卫,武明堂,刘辅宜;TiO_2低压压敏陶瓷材料研究[J];传感器技术;1995年02期
10 黄峰,程珊华,宁兆元,杨慎东,叶超,甘肇强;微波功率对a-C:F薄膜结构和光学性质的影响[J];材料科学与工程;2001年04期
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 孔春阳;金刚石薄膜磁阻效应及相关问题的研究[D];重庆大学;2002年
2 王蜀霞;有机半导体LPPP发光性质及相关问题研究[D];重庆大学;2002年
3 马剑平;β碳化硅晶体生长技术的若干基本问题[D];西安理工大学;2002年
4 张同意;非线性光电导开关高功率超短电脉冲产生技术的研究[D];西安电子科技大学;2002年
5 龚仁喜;GaAs光导开关的线性及非线性特性研究[D];西安电子科技大学;2002年
6 杨媛;神经元MOS及其应用电路的研究[D];西安理工大学;2004年
7 王爱坤;ZnSe/GaAs/Ge高效太阳电池的研究[D];河北工业大学;2004年
8 马艳;ZnO薄膜的MOVPE法生长、掺杂及X光取向研究[D];吉林大学;2004年
9 王守国;离子注入制备4H-SiC器件及其温度特性研究[D];西安电子科技大学;2004年
10 顾锋;半导体纳米材料的制备及发光性质的研究[D];山东大学;2005年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 王维民;多路光吸收式光纤耦合温度监测系统的设计与研究[D];燕山大学;2000年
2 杭联茂;烧结炭化硅晶体的制备、结构及光致发光特性[D];西安理工大学;2001年
3 郭杰荣;PN二极管对高功率微波激励的响应研究[D];西安电子科技大学;2001年
4 任卫;立方相氮化硼薄膜制备及掺杂特性研究[D];北京工业大学;2001年
5 庄铭耀;高温霍尔测量和应用[D];福州大学;2002年
6 张永华;碳化硅宽带隙半导体薄膜的异质外延生长技术及其结构性质分析[D];西安电子科技大学;2002年
7 陈波涛;SiGe快速开关功率二极管的器件模拟与分析[D];西安理工大学;2002年
8 陈雪萌;用LPCVD法在硅衬底上生长3C-Sic[D];西安理工大学;2002年
9 张国安;单晶硅和石英光纤表面上电沉积功能性镀层的研究[D];广东工业大学;2002年
10 牛赟;高频功率SiGe异质结双极晶体管(HBTs)的研究与设计[D];北京工业大学;2002年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 魏振乾,杨庆鑫,孙桂娟,李峰,李敏,孙晓波,田文晶,李昕,牛海军;载流子迁移率测量的光电方法[J];光电子.激光;2001年09期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 苗庆海;MOS场效应晶体管的速度饱和模型[J];山东大学学报(理学版);1982年04期
2 黄琳琳;牛连斌;关云霞;孔春阳;胡先权;任岳;贾许望;;有机无机复合电致发光的研究进展[J];重庆师范大学学报(自然科学版);2010年04期
3 瞿述,彭景翠,张高明,赵楚军,李宏建;输运层厚度与迁移率对双层有机发光器件性能的影响[J];湖南大学学报(自然科学版);2005年05期
4 管佳伟;吴虹;孙伟锋;;无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源[J];电子设计工程;2010年03期
5 陈福荫;哪种结构优越? Npn还是Pnp?[J];固体电子学研究与进展;1993年03期
6 莫铭;SiGe层中载流子迁移率研究简况[J];微电子学;1993年05期
7 刘向;刘惠;薛钰芝;;OTS修饰的不同厚度酞菁铜OTFT的研究[J];液晶与显示;2009年01期
8 胡加兴;牛连斌;刘宝元;郭荣礼;;聚乙烯醇作为绝缘层的有机场效应晶体管[J];半导体光电;2011年02期
9 萧继荣,唐荷珍;Hg_(1-x)Cd_xTe低温热处理条件与组分的关系[J];红外与毫米波学报;1986年05期
10 马建一;;重掺硼多晶硅薄膜的电学性质[J];半导体光电;1993年01期
中国重要会议论文全文数据库 前6条
1 胡加兴;刘宝元;郭荣礼;;聚乙烯醇作为绝缘层的有机场效应管[A];2010年西部光子学学术会议摘要集[C];2010年
2 韩艳玲;陈玉辉;韩丽芳;黄宇阳;邓文;;Si基半导体中微观缺陷和微量元素行为的正电子湮没研究[A];第十届全国正电子湮没谱学会议论文集[C];2009年
3 王海峰;骆永全;李阳龙;赵祥杰;张大勇;;透明导电膜的抗激光损伤技术研究[A];中国光学学会2011年学术大会摘要集[C];2011年
4 乔娟;王威;邱勇;;配位型有机/无机复合半导体材料的结构与性质研究[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年
5 李峰;;利用瞬态电致发光的方法研究磁场对有机电致发光器件亮度及电流的影响[A];全国第八届有机固体电子过程暨华人有机光电功能材料学术讨论会摘要集[C];2010年
6 邱龙臻;;基于有机半导体纳米线复合材料的薄膜晶体管[A];2011年全国高分子学术论文报告会论文摘要集[C];2011年
中国重要报纸全文数据库 前1条
1 于洋 张兆军;半导体/绝缘高分子复合材料研究获重大突破[N];中国技术市场报;2010年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 马建立;单轴应变硅能带结构及载流子迁移率研究[D];西安电子科技大学;2012年
2 袁广才;Pentacene基有机薄膜晶体管性能改善机制的研究[D];北京交通大学;2009年
3 沈方中;掺杂型有机电致发光器件有效电荷捕获过程研究[D];吉林大学;2007年
4 胡伟;并五苯有机薄膜晶体管的研究[D];吉林大学;2007年
5 靳辉;聚合物/无机材料复合结构光伏特性的研究[D];北京交通大学;2008年
6 姚绮君;基于氧化物半导体的薄膜晶体管[D];清华大学;2009年
7 叶红兵;新型半导体材料和红外器件的输运性质研究[D];上海交通大学;2008年
8 王立国;有机电子器件电荷输运及相关电性质研究[D];电子科技大学;2012年
9 杨洪东;硅基应变引入方法与MOS器件相关基础研究[D];电子科技大学;2010年
10 刘雪强;薄膜晶体管驱动OLED技术中关键问题的研究[D];吉林大学;2008年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 汤震;基于Ⅵ的载流子迁移率测试系统的研制[D];汕头大学;2011年
2 王婷婷;有机半导体载流子迁移率的密度泛函研究[D];大连理工大学;2013年
3 吴沛;有机场效应管的制作及特性研究[D];东南大学;2005年
4 王耀;并五苯薄膜的生长与光谱特征的分析[D];东南大学;2005年
5 董茂军;并五苯有机场效应晶体管的研究[D];兰州大学;2008年
6 杨震;0.18um 1.8 N型场效应晶体管的EKV模型[D];复旦大学;2009年
7 张学锋;基于ISE的MOSFET器件电学特性模拟分析与研究[D];大连理工大学;2009年
8 时玉萌;多阱结构有机电致发光特性研究[D];北京交通大学;2007年
9 齐洁茹;垂直构型有机场效应晶体管的研究[D];北京交通大学;2008年
10 施园;基于并五苯的光敏场效应晶体管的研究[D];北京交通大学;2009年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026