MOCVD生长GaN材料p型掺杂最新进展

【摘要】：p型GaN薄膜的实现是发展光电器件的关键工艺。使用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法已经获得实用性的p型掺杂,但是其电学和光学特性都不能让人满意。最近几年在掺杂工艺的改进和掺杂模型的理论研究方面都取得了显著进展。介绍了p型掺杂GaN中的自补偿模型、共掺杂工艺的原理和进展、PL谱的性质以及一些新的掺杂工艺。

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3	陈广超,杜小龙,姚鑫兹,江德仪;在ECR等离子体中GaN薄膜沉积的研究(英文)[J];功能材料与器件学报;1999年02期
4	滕学恭,段树坤;一种显示LiGaO_2晶体极性和缺陷的腐蚀液[J];人工晶体学报;2000年S1期
5	江若琏,席冬娟,赵作明,陈鹏,沈波,张荣,郑有炓;光导型GaN/Si探测器的研制[J];功能材料与器件学报;2000年03期
6	宋淑芳,陈维德,陈长勇,许振嘉;掺铒GaN薄膜光致发光的研究[J];中国稀土学报;2002年06期
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8	王书运,孙振翠,曹文田,薛成山;扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析[J];分析测试技术与仪器;2004年02期
9	曹文田,孙振翠,魏芹芹,薛成山,庄惠照,高海永;氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响[J];功能材料与器件学报;2004年03期
10	马洪磊,杨莺歌,刘晓梅,刘建强,马瑾;GaN薄膜的研究进展[J];功能材料;2004年05期

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1	张德恒;刘云燕;张德骏;张兴华;;用MOCVD方法制备的单晶GaN薄膜紫外光电导[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
2	凌浩;应质峰;吴嘉达;孙剑;施维;杜元成;李富铭;;以GaAs为原材料低温制备GaN薄膜[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
3	臧竞;巩锋;叶建萍;严建华;刘沫;;溶胶-凝胶法制备氧化锌薄膜及性能研究[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
4	侯利娜;姚淑德;周生强;赵强;;Si衬底上带有AIN插入层的GaN薄膜的结构及应变研究[A];2004年中国材料研讨会论文摘要集[C];2004年
5	刘泉林;饶光辉;梁敬魁;;稀土掺杂的BN、AIN和GaN薄膜的生长、结构和发光性能[A];2004年中国材料研讨会论文摘要集[C];2004年
6	石瑛;林玲;蒋昌忠;付德君;范湘军;;(Ga,Mn)N稀磁半导体的Mn~+注入制备和磁性研究[A];2004全国荷电粒子源、粒子束学术会议论文集[C];2004年
7	张春光;陈维德;卞留芳;许振嘉;;GaN注入Eu的光致发光特性的研究[A];第五届全国稀土发光材料学术研讨会论文摘要集[C];2005年

中国博士学位论文全文数据库

前2条

1	张昊翔;硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究[D];浙江大学;2001年
2	秦福文;RHEED原位监测的PEMOCVD方法及GaN基薄膜低温生长[D];大连理工大学;2004年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	王知学;控制技术在GaN薄膜生长过程中的应用[D];大连理工大学;2000年
2	王宇;硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究[D];浙江大学;2001年
3	杨利;两步生长模式合成一维GaN纳米结构和GaN晶体膜的研究[D];山东师范大学;2003年
4	符斯列;ECR等离子体参数空间分布特性研究及制备GaN薄膜中的应用[D];华南师范大学;2004年
5	谢燕武;GaN的高温高压合成研究[D];吉林大学;2004年
6	倪贤锋;MOCVD方法生长硅基GaN与Al_xGa_（1-x）N薄膜及其性能研究[D];浙江大学;2004年
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前1条

1	南开大学物理学院陶长远刘达清;碳化硅薄膜很优秀[N];科技日报;2002年

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