择优取向铁电薄膜制备影响因素的分析

【摘要】：制备性能优良、高度择优取向或外延生长、成分均匀、结构可控的晶态铁电薄膜材料,是发展铁电薄膜应用的基础。随着铁电薄膜在微电子学,光电子学和集成光学等领域的应用不断扩大,如何制备高性能的铁电薄膜材料一直称为人们关注的热点。对择优取向铁电薄膜材料制备技术中的主要影响因素进行了分析,希望能为从事此方面工作的研究者提供一定的借鉴。

【作者单位】：华南理工大学材料科学与工程学院华南理工大学材料科学与工程学院
【基金】：广东省自然基金
【分类号】：TB43

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	【引证文献】
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中国博士学位论文全文数据库

前2条

1	魏贤华;氧化物铁电薄膜生长与界面控制方法研究[D];电子科技大学;2005年
2	贾建峰;多层铁电薄膜的制备及其电性能研究[D];兰州大学;2006年

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前3条

1	张景基;界面对PZT铁电薄膜性能的影响[D];南昌大学;2006年
2	梁柱;氧化物异质外延过程中应变研究[D];电子科技大学;2006年
3	张澎丽;近化学计量比铌酸锂薄膜的制备[D];天津理工大学;2007年

	【参考文献】
	【参考文献】

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前1条

1	何恩培，刘梅冬，卢春如;溶胶一凝胶工艺对PZT铁电薄膜结构的影响[J];压电与声光;1994年05期

	【共引文献】
	【共引文献】

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前10条

1	吴桂芳,宋学平,刘勇,林伟,孙兆奇;衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究[J];安徽大学学报(自然科学版);2004年03期
2	宋学萍,王佩红,孙兆奇;退火温度对溅射Al膜微结构及光学常数的影响[J];安徽大学学报(自然科学版);2005年03期
3	吴萍,林旋英,姚若河,余楚迎;功能薄膜材料多晶硅的制备及光电特性研究[J];材料导报;1999年06期
4	李青山,张金朝,宋鹂;三防纳米级ATO透明导电薄膜材料的研究和应用[J];材料导报;2002年02期
5	何平;具有模糊协同控制的电子膜敷膜系统与工艺[J];材料科学与工艺;2004年01期
6	宋学萍,周桃飞,赵宗彦,孙兆奇;退火温度对溅射Al膜微结构及应力的影响[J];材料科学与工程学报;2003年05期
7	杨永安,吕永林,字正华;热释电材料的研究现状分析[J];楚雄师专学报;2001年03期
8	黄蕙芬;具有优良绝缘性能的Ta_2O_5介质膜[J];东南大学学报(自然科学版);1999年06期
9	曲喜新;固态介质薄膜的电击穿场强[J];电子元件与材料;1999年06期
10	杨田林,高绪团,韩圣浩;溅射偏压对柔性衬底ITO薄膜结构和光电特性的影响[J];电子元件与材料;2003年07期

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前3条

1	蔡珣;;可调的透明导电膜研究进展[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（1）[C];2007年
2	孙福来;谭红琳;;溶胶-凝胶法制备ZnO：Al导电薄膜的研究[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）[C];2007年
3	何平;;纳米电子膜热加工可拓控制技术[A];第二十四届中国控制会议论文集（下册）[C];2005年

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前10条

1	蒋亚东;电子聚合物气、湿敏特性及机理研究[D];电子科技大学;2001年
2	范志新;电子薄膜材料最佳掺杂含量的理论研究[D];河北工业大学;2002年
3	李晓云;金属膜电阻器稳定性的研究[D];天津大学;2003年
4	白永林;超高密度光盘存储关键技术的研究[D];中国科学院研究生院（西安光学精密机械研究所）;2003年
5	严群;稀土氧化物及纳米氧化锌掺杂压敏材料的制备及机理研究[D];四川大学;2003年
6	董玮;体硅微机械光开关的设计与制作工艺的研究[D];吉林大学;2004年
7	谢欣云;非单一SiO_2埋层的SOI新结构研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2004年
8	龚恒翔;多晶氧化锌薄膜的制备和结构、电学、光学特性研究[D];兰州大学;2002年
9	杨雪娜;掺镧（钐）Bi_2Ti_2O_7薄膜的制备及其性能研究[D];山东大学;2005年
10	邱成军;基于MEMS技术新型压电微驱动器的研制[D];哈尔滨工程大学;2005年

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前10条

1	周慎平;用不同配比度的预烧粉末和陶瓷靶在Ag、Au、Pt底电极上溅射制取PZT铁电薄膜的研究[D];暨南大学;2000年
2	魏欢;SiGe异质结双极晶体管及其集成电路的研究[D];北京工业大学;2000年
3	黄创军;以SiCl_4为气源用PECVD方法低温沉积多晶硅薄膜[D];汕头大学;2001年
4	张博;Ni-Co-P/WC(nm)复合镀层研究及硅的表面金属化[D];广东工业大学;2001年
5	贺月娇;表面修饰N型多孔硅的光致荧光特性[D];山东师范大学;2001年
6	张兴旺;氧化物透明导电薄膜的溶胶—凝胶法制备[D];西安理工大学;2002年
7	刘力锋;热处理对非掺杂半绝缘LECGaAs本征缺陷及电特性影响的研究[D];河北工业大学;2002年
8	叶光;用于场致发射显示的MIM型电子发射结构的研制[D];福州大学;2003年
9	王晓泉;太阳电池用氮化硅薄膜及氢钝化研究[D];浙江大学;2003年
10	杜泽惠;锆钛酸铅镧铁电薄膜的制备及微细加工[D];西安理工大学;2003年

	【同被引文献】
	【同被引文献】

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前10条

1	江辉明,叶志清,曾明生;脉冲激光沉积(PLD)机理分析及其应用[J];江西师范大学学报(自然科学版);2005年01期
2	余火根,余家国,郭瑞,赵修建;溶胶-凝胶薄膜的制备和应用[J];材料导报;2003年06期
3	李戈扬,施晓蓉,吴亮,许俊华,戎咏华,张惠娟;TiN/AlN纳米多层膜的研究[J];材料工程;1999年11期
4	彭会芬;钛酸钡铁电陶瓷和薄膜的溶胶凝胶法制备及表征[J];材料科学与工程;1998年01期
5	田家万,劳技军,虞晓江,李戈扬,宁兆元;纳米多层膜中立方AlN外延生长的HRTEM观察[J];电子显微学报;2002年05期
6	单连伟,丁碧妍,付兴华,侯文萍,单志强;(Ba,Sr)TiO_3铁电薄膜制备技术及其研究进展[J];桂林电子工业学院学报;2003年06期
7	丁文,丁永平,孟中岩;Sol-Gel制备Ba_(1-x)Sr_xTiO_3系铁电薄膜的介电、调谐性能[J];功能材料;2001年04期
8	朱小红,彭炜,胡文斐,陈莺飞,郑东宁,李林,朱建国;Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜、Ba_(0.1)Sr_(0.9)TiO_3/YBa_2Cu_3O_(7-δ)异质薄膜的制备及介电性能研究[J];功能材料;2003年02期
9	肖定全;铁电薄膜研究中的几个重要问题[J];功能材料;2003年05期
10	陈强,肖定全,吴家刚,方瑜,王媛玉,袁小武,于光龙,熊学斌,朱建国;Pechini法制备铌酸锂陶瓷的结晶性能研究[J];功能材料;2004年04期

中国博士学位论文全文数据库

前3条

1	秦福文;RHEED原位监测的PEMOCVD方法及GaN基薄膜低温生长[D];大连理工大学;2004年
2	魏贤华;氧化物铁电薄膜生长与界面控制方法研究[D];电子科技大学;2005年
3	陈涛;Fe/Ti纳米多层薄膜界面反应机制研究[D];大连理工大学;2007年

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前3条

1	任卫;立方相氮化硼薄膜制备及掺杂特性研究[D];北京工业大学;2001年
2	彭润玲;Pb（Zr_（0.94）Ti_（0.06））O_3薄膜的铁电性及热释电性能的研究[D];南京航空航天大学;2002年
3	曹亮亮;硅基铌酸锂薄膜的PLD生长及其性能研究[D];浙江大学;2005年

	【二级引证文献】
	【二级引证文献】

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前1条

1	黄奇辉;PZT铁电薄膜/LaNiO_3薄膜周期结构的制备及其光学性质[D];南昌大学;2007年

	【相似文献】
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前10条

1	郭淑兰;王敏;徐学东;李佳;;Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜的ICP刻蚀及性能研究[J];微电子学;2011年04期
2	李振豪;李琳;普朝光;;应用于非制冷焦平面器件上的PMN-PT铁电薄膜[J];硅酸盐学报;2011年09期
3	郭红力;李雪冬;李海敏;刘果;肖定全;朱建国;;含有衬底的双层复合薄膜的磁电效应[J];四川大学学报(工程科学版);2011年05期
4	田玥;唐艳学;石旺舟;;0.74Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.26PbTiO_3薄膜的光学性能研究[J];上海师范大学学报(自然科学版);2011年03期
5	王光明;张铭;李廷先;郭宏瑞;严辉;;氧压对脉冲激光沉积LaNiO_3薄膜结构和电学性能的影响[J];功能材料;2011年S2期
6	尚杰;张辉;唐艳艳;曹明刚;张鹏翔;;新型脉冲激光能量计用无铅(Na_(1-x)K_x)_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3铁电薄膜的制备及其激光感生热电电压信号的研究[J];功能材料与器件学报;2011年03期
7	刘晓娜;张婷;孙新格;丁玲红;张伟风;;非晶Pr_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜的电阻开关性质[J];电子元件与材料;2011年08期
8	孙玄;黄煦;王亚洲;冯庆荣;;MgB_2超薄膜的制备和性质研究[J];物理学报;2011年08期
9	兰梦;邵婷娜;谢佳乐;杨秀凡;孙凯;蔡田田;王俊忠;;利用STM直接观察红荧烯薄膜中的质量密度波[J];中国科学:物理学力学天文学;2011年08期
10	王英龙;张鹏程;刘虹让;刘保亭;傅广生;;晶粒尺寸及衬底应力对铁电薄膜特性的影响[J];物理学报;2011年07期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	陈辉;;非理想表面层对铁电薄膜极化率分布的影响[A];创新沈阳文集（B）[C];2009年
2	陈延峰;孙力;于涛;闵乃本;姜晓明;修立松;;MOCVD制备PbTiO_3铁电薄膜的研究[A];1996年中国青年学者物理学讨论会——薄膜材料与物理论文集[C];1996年
3	周济;李俊国;李龙土;张孝文;;溶胶—凝胶(Sol—Gel)过程制备Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜[A];首届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1992年
4	李辉道;唐新桂;刘毅;唐振方;张曰理;莫党;;(Pb，Ca)TiO_3铁电薄膜的椭偏光谱研究[A];'99十一省（市）光学学术会议论文集[C];1999年
5	朱建国;肖定全;陈猛;彭文斌;张力;景亚斌;;PbTiO_3铁电薄膜快速退火后结晶特性研究[A];第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1995年
6	吴小清;李波;任巍;姚熹;;热释电薄膜红外探测器的微图形化及其性能[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
7	杨长红;王卓;韩建儒;;金属有机分解法制备无铅环保K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3铁电薄膜[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
8	贾彩虹;张伟风;;Bi_(3.25)M_(0.75)Ti_3O_(12)(M=Nd,Al,In)薄膜的铁电与光学性质研究[A];第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2006年
9	朱建国;彭文斌;张文;陈猛;肖定全;兰发华;;多离子束反应溅射室温沉积PbTiO_3薄膜的结晶性能[A];1996年中国青年学者物理学讨论会——薄膜材料与物理论文集[C];1996年
10	李理;朱俊;罗文博;;以TiO_2为缓冲层在GaN上外延生长PZT铁电薄膜及性能测试[A];TFC’09全国薄膜技术学术研讨会论文摘要集[C];2009年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	尚杰;铁电氧化物薄膜的制备及其激光感生电压效应[D];昆明理工大学;2010年
2	尹伊;铁电薄膜生长及器件制备工艺的研究[D];浙江大学;2011年
3	卢兆信;铁电薄膜相变性质的高阶格林函数研究[D];电子科技大学;2011年
4	杨旭昕;石墨衬底上氮化硼膜的制备与其性质研究[D];吉林大学;2010年
5	朱哲;铁电薄膜生长机制和畴变演化的研究[D];湘潭大学;2011年
6	裴玲;钛酸铋基铁电薄膜的Sol-gel法制备及改性研究[D];武汉大学;2010年
7	迟庆国;钛酸铅基铁电薄膜组织结构控制及性能研究[D];哈尔滨工业大学;2010年
8	周阳;透明ZnO薄膜与铁电薄膜的集成研究[D];河北大学;2011年
9	王卓;钛酸铋钠基铁电薄膜的制备及相关刻蚀工艺的研究[D];山东大学;2003年
10	贾建峰;多层铁电薄膜的制备及其电性能研究[D];兰州大学;2006年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	周光惺;BLT/PZT/BLT铁电薄膜的溶胶—凝胶制备及性能研究[D];华中科技大学;2009年
2	张才建;PT系铁电薄膜生长及其性能研究[D];电子科技大学;2010年
3	万晓婧;激光沉积法制备SrTiO_3铁电薄膜及其性能分析[D];北京工业大学;2011年
4	杨莺;锆钛酸铅铁电薄膜的制备及性能测试[D];西安理工大学;2003年
5	白刚;外延钙钛矿薄膜中铁电相变的唯象理论研究[D];汕头大学;2010年
6	王敬宇;铁电薄膜、半导体薄膜应力的X射线衍射表征与研究[D];电子科技大学;2011年
7	田玥;弛豫铁电薄膜PMN-0.26PT的制备及其性能的研究[D];上海师范大学;2011年
8	郭冬云;FFET存储器用Bi_4Ti_3O_（12）铁电薄膜的制备及性能研究[D];武汉理工大学;2002年
9	余中;感光性PZT铁电薄膜制备及光敏性机理研究[D];西安理工大学;2003年
10	刁雪岩;复合铁电薄膜性质的理论研究[D];吉林大学;2006年

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