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《传感技术学报》 2006年06期
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基于0.6μm CMOS工艺的pH值传感器集成电路设计和研究

施朝霞  朱大中  
【摘要】:介绍了一种基于上华0.6μmCMOS工艺实现的pH值传感器集成电路的设计和研究,它采用标准CMOS工艺提供的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,并以多层浮栅结构的ISFET作为传感单元.信号处理电路由基准电流源、恒流恒压控制电路、输出差分电路等组成,使电路输出信号与pH值的变化量呈线性关系.实测结果表明该电路在溶液pH值从1-13范围内输出电压的平均灵敏度为35.8mV/pH,线性度优于5%.该集成电路实现了pH值传感单元与信号处理电路的单片集成.

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【引证文献】
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1 戴春祥;光寻址电位传感器新结构的研究[D];浙江大学;2008年
2 董小英;CMOS线性型、开关型温度传感器的设计与研制[D];浙江大学;2008年
【参考文献】
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1 施朝霞;朱大中;;CMOS微环境pH传感芯片研究[J];传感技术学报;2006年03期
【共引文献】
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1 戴春祥;光寻址电位传感器新结构的研究[D];浙江大学;2008年
【同被引文献】
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