收藏本站
《传感技术学报》 1996年02期
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

P~+πN~+器件压磁电效应的研究

温殿忠  邱成军  庄玉光  
【摘要】:用载流子连续方程研究了一个侧面设置高复合区的双注入P~+πN~+器件的压磁电效应,给出了伏安特性与压力和磁场强度的函数关系.结果表明,当四个P~+πN~+器件在“基区”两两垂直组成惠斯登电桥,制造在C型硅杯的硅膜片上,不但具有较高的压力灵敏度和磁灵敏度,而且可以用来测量磁场的旋转角度.据此,提出了一种新的具有良好工作稳定性及较高灵敏度的压/磁敏感器件.

手机知网App
【引证文献】
中国期刊全文数据库 前2条
1 温殿忠,穆长生,赵晓峰;采用MEMS技术制造硅磁敏三极管[J];传感器技术;2001年05期
2 赵晓锋,田凤军,温殿忠;采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究[J];传感器技术;2004年09期
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 赵晓锋;采用MEMS技术制作硅磁敏三极管研究[D];黑龙江大学;2003年
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前3条
1 温殿忠;大学工科专业课教学改革与产学研的关系[J];黑龙江高教研究;2002年03期
2 方培生;Insb磁敏电位器的研究[J];测控技术;1999年03期
3 黄得星;双注入型磁敏二极管的设计[J];电子与信息学报;1986年02期
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 姚雅红,吕苗,赵彦军,崔战东;微传感器制造中的硅-玻璃静电键合技术[J];半导体技术;1999年04期
2 钱钢,张利春,阎桂珍,王咏梅,张大成,王阳元;一种新的硅深槽刻蚀技术研究[J];半导体学报;1994年01期
3 刘光辉,亢春梅;MEMS技术的现状和发展趋势[J];传感器技术;2001年01期
4 温殿忠,穆长生,赵晓峰;采用MEMS技术制造硅磁敏三极管[J];传感器技术;2001年05期
5 黄得星;双注入型磁敏二极管的设计[J];电子与信息学报;1986年02期
6 温殿忠,李国栋,赵晓锋;纳米电子学研究与展望[J];黑龙江大学自然科学学报;2001年03期
7 赵晓峰,温殿忠;MEMS研究与发展前景[J];黑龙江大学自然科学学报;2002年01期
8 温殿忠,庄玉光,邱成军;硅在KOH溶液中各向异性腐蚀机理的研究[J];黑龙江大学(自然科学学报);1996年03期
9 王清平,郭林,刘兴凤,蔡永才,黄正学;1μm宽硅深槽刻蚀技术[J];微电子学;1996年01期
10 林成鲁;SOI技术的新进展[J];功能材料与器件学报;2001年01期
【二级引证文献】
中国期刊全文数据库 前2条
1 赵晓锋,田凤军,温殿忠;采用MEMS制作新型硅磁敏三极管特性研究[J];传感器技术;2004年09期
2 赵晓峰,温殿忠;MEMS研究与发展前景[J];黑龙江大学自然科学学报;2002年01期
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
1 赵晓锋;采用MEMS技术制作硅磁敏三极管研究[D];黑龙江大学;2003年
2 宫纯青;形状参数对MEMS霍尔器件性能影响研究[D];哈尔滨理工大学;2006年
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前2条
1 吴宪平,胡美凤;扩散硅压力传感器性能优化研究[J];传感技术学报;1992年03期
2 温殿忠,邱成军,庄玉光;P~+πN~+器件压磁电效应的研究[J];传感技术学报;1996年02期
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026