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《传感技术学报》 1994年04期
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微型真空力敏器件的研究

朱长纯  王海笑  
【摘要】:本文首次用电荷模拟法计算了真空微电子力敏传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,同时计算了100晶向的方形硅薄膜受压形变与压力的关系,进而得出了这种传感器的电流-压力曲线.还做了水槽模拟电场分布的实验,理论与实验符合的很好.

【引证文献】
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1 刘金华,杨军,张敬平,林鸿溢;场发射压力传感器力敏感膜的形变特性分析[J];微电子学;2000年04期
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【同被引文献】
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3 刘君华;真空微电子传感器进展[J];传感器技术;1994年05期
4 温志渝,何清义,江永清,林鹏,蒋子平;真空微电子触觉传感器场致发射阵列的研究[J];重庆大学学报(自然科学版);1998年04期
5 林鸿溢,武旭辉,何宇亮,褚一鸣;纳米硅薄膜的生长动力学与计算机模拟[J];物理学报;1996年04期
【二级引证文献】
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1 钱开友,颜丙勇,林仰魁,王芸,徐东,蔡炳初;一种新场发射压力传感器阳极膜结构的模拟与测试[J];传感技术学报;2005年03期
【相似文献】
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10 ;[J];;年期
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9 胡巍;MiguelA.Porras;;具有传输不变性的电磁波模式[A];中国光学学会2006年学术大会论文摘要集[C];2006年
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