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《长春理工大学学报(自然科学版)》 2009年04期
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ZnO本征缺陷的第一性原理研究

罗达峰  谭志中  杨建华  丁增辉  
【摘要】:采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法对纯净ZnO和本征缺陷ZnO的电子结构进行了比较研究。结果表明:纯净ZnO中氧原子或者锌原子的减少都会使得ZnO的禁带宽度增大,O空位与Zn反位是施主缺陷,Zn空位是受主缺陷。O原子的减少,或者Zn原子的增加,都将导致Zn-Zn原子间的相互作用增强,使得Zn-3d电子态不再发生能级分裂,同时氧空位的增多将导致ZnO电导率下降。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前3条
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3 丁少锋;范广涵;李述体;肖冰;;氮化铟p型掺杂的第一性原理研究[J];物理学报;2007年07期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前2条
1 黄兴奎,孙奉娄;p型ZnO薄膜的研究进展[J];常州工学院学报;2005年05期
2 赵宗彦;柳清菊;张瑾;朱忠其;;3d过渡金属掺杂锐钛矿相TiO_2的第一性原理研究[J];物理学报;2007年11期
中国重要会议论文全文数据库 前1条
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中国博士学位论文全文数据库 前2条
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中国硕士学位论文全文数据库 前8条
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8 孙福来;溶胶—凝胶法制备ZnO掺杂导电薄膜的研究[D];昆明理工大学;2008年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前7条
1 杨春,李言荣;薄膜生长模型与计算机模拟[J];功能材料;2003年03期
2 马洪磊,杨莺歌,刘晓梅,刘建强,马瑾;GaN薄膜的研究进展[J];功能材料;2004年05期
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前5条
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【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 芦伟;徐明;魏屹;何林;;AlN/InN和AlN/GaN超晶格能带结构研究[J];物理学报;2011年08期
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3 曾戈虹;史衍丽;庄继胜;;Ⅱ类超晶格红外探测器的机理、现状与前景[J];红外技术;2011年06期
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7 黄诗浩;李成;陈城钊;郑元宇;赖虹凯;陈松岩;;Si基Ge外延薄膜材料发光性能研究进展[J];半导体光电;2011年03期
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中国重要会议论文全文数据库 前10条
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9 陈晓红;徐征;王振家;刘育新;印寿根;侯延冰;张希清;徐叙瑢;;溶剂效应对聚喹啉铝电致发光特性的影响[A];第九届全国发光学术会议摘要集[C];2001年
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中国重要报纸全文数据库 前1条
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中国博士学位论文全文数据库 前10条
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10 李金钗;III族氮化物半导体中极化场的调控[D];厦门大学;2008年
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4 黎威志;有机电致发光器件的设计及制备研究[D];电子科技大学;2003年
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6 闫万珺;β-FeSi_2能带结构及光电子特性计算[D];贵州大学;2007年
7 龙章勇;Mn掺杂β-FeSi_2能带结构及光电子特性计算[D];贵州大学;2007年
8 欧阳桂仓;ZnO光学性质与掺杂的第一性原理研究[D];江西师范大学;2008年
9 陆加佳;氢化纳米硅/单晶硅异质结二极管的能带结构和输运特性研究[D];上海交通大学;2008年
10 夏涛;InAlGaN材料系多量子阱结构电子学特性的研究[D];北京交通大学;2008年
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