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《长春理工大学学报》 2004年01期
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TFT制作中静电击穿的研究

王丽娟  王百金  
【摘要】:薄膜晶体管 (ThinFilmTransistor英文缩写TFT)是有源矩阵液晶显示器的开关元件。在TFT的制作中 ,静电击穿严重影响TFT的制作成品率。本文重点研究O2 灰化设备辉光放电过程中产生的静电击穿。这种静电击穿破坏TFT产品的短路环 ,引起栅极与源漏电极短路。本文通过实验与分析 ,找到了O2 灰化设备产生静电击穿的原因 ,并提出解决对策 ,在吉林彩晶 (JCT工厂 )的TFT制作中广泛应用
【作者单位】长春理工大学 东北师范大学
【分类号】:TN101

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