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《北京师范大学学报(自然科学版)》 2001年06期
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区熔再结晶制备多晶硅薄膜太阳电池

李维刚  许颖  励旭东  姬成周  
【摘要】:研究了区熔再结晶 (ZMR)设备及其工艺特点 .在覆盖SiO2 的重掺P型单晶硅衬底上用快速热化学气相沉积 (RTCVD)在其上沉积一层很薄的多晶硅薄膜 ,用区熔再结晶法对薄膜进行处理 ,得到了晶粒致密 ,且取向一致的多晶硅薄膜层 .以此薄膜层为籽晶层 ,再在上面以RTCVD制备电池活性层 ,经过标准的太阳电池工艺 ,得到了转换效率为 10 .2 1%,填充因子为 0 .6 913的电池产品 .