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《变频器世界》 2011年07期
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软特性650V IGBT:低电磁干扰和电压尖峰的优化器件

Wilhelm Rusche  Andreas Hrtl  Marco Bssler  
【摘要】:近年来,功率半导体厂商致力于提高器件的开关速度,这带来了开关损耗降低和系统能效提升的益处。这些功率器件需要优化的直流电路寄生电感(L_s)。为了满足具有大电流的高功率应用的需求,推出了一种全新的芯片650V IGBT4,旨在提供更大的设计自由度。这款全新的IGBT4器件具备更好的关断软度,并且由于关断电流变化率d i/dt的降低,带来了更低的关断电压尖峰。
【作者单位】英飞凌科技股份公司;
【分类号】:TN386

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