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《半导体杂志》 1994年04期
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砷化镓(GaAs)半导体器件、单晶的现状及发展动向

管丕恺  
【摘要】:本文从应用角度综合评述了国外近年来砷化镓集成电路、器件和单晶材料领域的进展概况以及目前存在的主要问题,并预测了今后的发展趋势。
【作者单位】电子部第46研究所
【分类号】:TN304.23

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【引证文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 孙以材;半导体材料与器件九十年代最新进展[J];半导体杂志;1996年02期
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
1 罗丛;GaAs核辐射探测器的研制[D];中国原子能科学研究院;2006年
2 姚淑娟;富勒烯在半导体材料表面吸附的密度泛函理论研究[D];中国地质大学;2006年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前8条
1 邵传芬,史常忻,陈宏芳,李澄;GaAs粒子探测器的能谱特性[J];固体电子学研究与进展;2000年02期
2 乐毅,李澄,陈宏芳,张永明,汪晓莲,王立刚,邵传芬,史常忻;新型MSM结构砷化镓半导体探测器的性能[J];高能物理与核物理;1998年12期
3 张玉生,许汝民,刘东红,戴瑛,孟繁珉;AuGeNi/n-GaAs欧姆接触实验研究[J];山东工业大学学报;1994年04期
4 陈维德,谢小龙,陈春华,崔玉德,段俐宏,许振嘉;利用快速热退火在n-GaAs上形成浅欧姆接触[J];真空科学与技术学报;1997年01期
5 何宇亮;纳米半导体器件与纳米电子学[J];半导体杂志;1994年04期
6 蒋荣华,肖顺珍;半导体硅材料最新发展现状[J];半导体技术;2002年02期
7 陈卫祥,徐铸德,徐建敏;富勒烯、酞菁化学修饰聚环氧丙基咔唑的合成及其光电导性能[J];功能材料;2002年02期
8 张兆敏;C_(60)与富勒烯的结构及其应用前景[J];临沂师范学院学报;1997年03期
【二级引证文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 孙以材,高振斌,贾德贵,石俊生,杨瑞霞;压力传感器芯片版图设计中若干重要问题(1)[J];半导体杂志;1999年01期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 叶禹康;GaAs MESFET微波散射参数计算[J];固体电子学研究与进展;1982年01期
2 陈克金;X波段噪声系数1.4分贝的GaAs MESFET[J];固体电子学研究与进展;1982年02期
3 吴允弘 ,龚邦瑞 ,吕振中;C-X波段中功率GaAs MESFET[J];固体电子学研究与进展;1982年03期
4 俞土法;一种预计低噪声GaAs MESFET噪声系数的方法[J];固体电子学研究与进展;1983年02期
5 吴永茂;低噪声铝栅MESFET能量烧毁性质的实验分析[J];固体电子学研究与进展;1983年02期
6 沈国雄,赵鹏程;lμm MESFET/SOS 集成电路制备及液氮温度下器件的工作特性[J];应用科学学报;1983年01期
7 王渭源,卢建国,乔墉,周永泉,夏冠群,邵永富,杨新民,陈自姚,罗潮渭,詹千宝,王文骐;硅全离子注入的GaAs双栅MESFET[J];应用科学学报;1983年04期
8 叶禹康,王福臣,楼洁年;单片X波段GaAs MESFET振荡器[J];电子学报;1983年03期
9 俞土法 ,吴永茂;一种测量GaAs MESFET寄生电阻的方法[J];固体电子学研究与进展;1984年01期
10 陈克金 ,陈世鸯 ,俞土法;12GHz 1.5dB亚微米栅GsAs MESFET[J];固体电子学研究与进展;1984年01期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 Vitali I.Yatskevch;Ali Abou-Elnour;Klaus Schünemann;;COMPUTER AIDED MODELING OF GaAs MESFET STRUCTURES VIA MONTE CARLO METHOD[A];Proceedings of the 1994 International Conference on Computational Electromagnetics and Its Applications[C];1994年
2 Vitali I.Yatskevich;Ali Abou-Elnour;Klaus Schünemann;;COMPUTER AIDED MODELING OF GaAs MESFET STRUCTURES VIA MONTE CARLO METHOD[A];Proceedings of the 1994 International Conference on Computational Electromagnetics and Its Applications[C];1994年
3 Vitali I.Yatskevich;Ali Abou-Elnour;Klaus Schünemann;;COMPUTER AIDED MODELING OF GaAs MESFET STRUCTURES VIA MONTE CARLO METHOD[A];Proceedings of the 1994 International Conference on Computational Electromagnetics and Its Applications[C];1994年
4 Robert W.Dutton;Walter A.Harrison;;DYNAMIC TRAPPING MODEL FOR ANALYSIS OF GaAs MESFETs AND QUANTUM WELL LASERS[A];Proceedings of 1995 4th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology[C];1995年
5 ;DEVELOPMENT OF MM-WAVE SOLID STATE DEVICES IN CHINA (INVITED)[A];Proceedings of International Conference on Millimeter Wave and far-Infrared Technology[C];1989年
6 G.Zou;W.De Raedt;G.Borghs;M.Van Rossum;;FABRICATION OF SUB-0.5um GaAs MESFET's USING PECVD SILICON NITRIDE CAPPED ALLOY TECHNIQUE[A];The Proceedings of the Third International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology[C];1992年
7 ;InAIAs-lnGaAs HEMT Dynamic Frequency Divider[A];Proceedings 1st International Conference on ASIC[C];1994年
8 ;A New and Efficient Approach to the Analysis of Phase Noise Characteristics in GaAs MESFET Microwave Oscillators[A];Proceedings of the 1994 International Conference on Computational Electromagnetics and Its Applications[C];1994年
9 ;Steady-State Simulation of Microwave MESFET Oscillators by Modified Nonlinear Current Method[A];Proceedings of the 1994 International Conference on Computational Electromagnetics and Its Applications[C];1994年
10 Tung H Weng;;NUMERICAL CALCULATION OF I-V CHARACTERISTIC CURVES OF AN ION IMPLANTED GaAs MESFET[A];Proceedings of 1995 4th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology[C];1995年
中国重要报纸全文数据库 前5条
1 吴映红;GaAs集成电路市场千帆竞发[N];中国电子报;2000年
2 张星;SiC材料器件——现代高科技领域之星[N];科学时报;2000年
3 西安微电子研究所 谢永桂;加速发展我国化合物半导体技术[N];中国电子报;2001年
4 君毅;全球砷化镓产业版图重组[N];电子资讯时报;2002年
5 杨连基;优利讯推广半导体工艺服务[N];电子资讯时报;2004年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 程知群;砷化镓微波单片集成电路研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2000年
2 詹琰;GaAs MESFET器件与光通信GaAs电路的研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2001年
3 李洪芹;赝配高速电子迁移率晶体管及其微波单片集成电路研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2001年
4 盛怀茂;汽车防撞毫米波FMCW雷达前端集成关键技术研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2002年
5 胡少坚;霍尔相位传感器组件及相关关键技术研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2002年
6 朱朝嵩;GaAs阈值电压均匀性与测试系统的研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2002年
7 杨林安;4H碳化硅射频功率金属半导体场效应晶体管的模型及工艺研究[D];西安电子科技大学;2003年
8 刘钊;微波神经网络技术研究[D];天津大学;2004年
9 徐涛;毫米波汽车防撞雷达实用化研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2003年
10 孙卫忠;半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的杂质与缺陷[D];河北工业大学;2006年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 刘舒;Ka波段HEMT上变频器研究[D];电子科技大学;2002年
2 刘立浩;GaAs MESFET击穿特性研究[D];河北工业大学;2003年
3 景立;GaAs中频开关的设计与研制[D];电子科技大学;2003年
4 付生辉;LEC法生长SI-GaAs衬底缺陷对MESFET器件电性能的影响[D];河北工业大学;2004年
5 秦建勋;微波功率器件研究[D];电子科技大学;2004年
6 刘桂云;砷化镓射频功率MESFET大信号模型研究[D];西安电子科技大学;2005年
7 曹全君;4H-SiC MESFET参数模型和射频放大器的设计[D];西安电子科技大学;2005年
8 唐广;大功率AlGaN/GaN HEMT关键制作工艺的研究[D];清华大学;2004年
9 龙飞;GaN HEMT电流崩塌效应机理与实验研究[D];电子科技大学;2006年
10 刘卫兵;4H-SiC MESFET的大信号模型及微波功率合成研究[D];西安电子科技大学;2006年
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