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《半导体学报》 1999年02期
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GaN——第三代半导体的曙光

梁春广  张冀  
【摘要】:自从蓝色GaN/GaInNLEDs研制成功之后,氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗耀眼的新星.简要介绍了GaN的基本特性.探讨了材料的生长技术,包括衬底的选择和外延方法.最后给出了GaN基器件,如LEDs、LDs、FETs和探测器等的发展现状,同时描绘了氮化物器件的应用领域和未来的发展前景.
【作者单位】电子工业部第十三研究所

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【引证文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 王三胜,顾彪,徐茵,王知学,杨大智;GaN生长工艺流程实时监控系统[J];大连理工大学学报;2001年06期
2 刘凤英,王艳辉,李桂琴;半导体激光器发展概论[J];物理与工程;2000年06期
3 李庚伟;吴正龙;邵素珍;张建辉;刘志凯;;氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究[J];材料导报;2005年02期
4 魏芹芹,薛成山,孙振翠,曹文田,庄惠照;氨化Si基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜[J];稀有金属材料与工程;2005年02期
5 魏芹芹,薛成山,孙振翠,庄惠照,王书运;氨化硅基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜性质研究[J];稀有金属材料与工程;2005年05期
6 任丙彦,张志成,刘彩池,郝秋燕,王猛;硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响[J];半导体学报;2001年11期
7 彭长涛,陈诺夫,林兰英,柯俊;非掺杂n型氮化镓外延层的光致发光[J];半导体学报;2001年04期
8 高海永,庄惠照,薛成山,王书运,董志华,李忠;氮化Si基ZnO/Ga_2O_3制备GaN薄膜[J];微纳电子技术;2004年06期
9 李栓庆;GaN基半导体激光器发展动态研究[J];半导体情报;2000年03期
10 胡丽君,庄惠照,高海永,何建廷,薛守斌,薛成山;RF磁控溅射和氨化法制备GaN纳米棒和纳米颗粒[J];微纳电子技术;2005年09期
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1 李述体;III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究[D];南昌大学;2002年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 杨利;两步生长模式合成一维GaN纳米结构和GaN晶体膜的研究[D];山东师范大学;2003年
2 王燕辛;高分子分散系中有机共轭分子的发光[D];中国海洋大学;2003年
3 王知学;控制技术在GaN薄膜生长过程中的应用[D];大连理工大学;2000年
4 杨冬;CVD法合成一维GaN纳米结构和GaN薄膜的研究[D];太原理工大学;2007年
5 王笑;基于FUZZY和TRIZ的蓝宝石研磨工艺参数优化设计研究[D];浙江工业大学;2008年
6 朱华超;用脉冲激光沉积工艺在不同衬底上生长GaN薄膜的研究[D];山东师范大学;2008年
7 黄大鹏;GaN基金属—铁电体—半导体场效应晶体管关键技术研究[D];西安电子科技大学;2005年
8 贺艳秋;生长氮化镓薄膜的智能高精度温度控制器的研究[D];电子科技大学;2005年
9 王志宇;纤锌矿相GaN材料空穴输运特性的全带多粒子Monte Carlo模拟研究[D];河北大学;2005年
10 吕海涛;蓝宝石衬底与GaN外延层中缺陷与杂质的研究[D];河北工业大学;2004年
【同被引文献】
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1 王如刚;陈振强;胡国永;;几种LED衬底材料的特征对比与研究现状[J];科学技术与工程;2006年02期
2 徐军,周圣明,杨卫桥,夏长泰,彭观良,蒋成勇,周国清,邓佩珍;InN和GaN系衬底材料的研究和发展[J];中国有色金属学报;2004年S1期
3 吴益明;卢京潮;魏莉莉;闫建国;;基于Windows系统环境下的精确定时过程实现[J];计测技术;2005年06期
4 林砺宗;用数字I/O卡实现对步进电机的控制[J];机电一体化;2001年02期
5 顾键,王京春,黄德先;OPC——COM技术在工业自动化软件中的应用[J];计算机工程与应用;2002年12期
6 彭公孚,席长友;基于VB控件开发的ANSYS程序调用方法[J];武汉理工大学学报(交通科学与工程版);2004年01期
7 邱向荣;陈炽坤;;基于VB的ANSYS二次开发在起重机设计中的应用[J];起重运输机械;2007年05期
8 侯明;王东兴;;WINDOWS系统高精度定时方法研究[J];微计算机信息;2006年09期
9 潘稚英;微特电机的现状及发展趋势[J];微特电机;1994年06期
10 叶志镇,徐伟中,曾昱嘉,江柳,赵炳辉,朱丽萍,吕建国,黄靖云,汪雷,李先杭;MOCVD法制备ZnO同质发光二极管[J];半导体学报;2005年11期
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1 王丽;胡小波;董捷;李娟;姜守振;李现祥;徐现刚;王继扬;蒋民华;;Micro-Raman光谱鉴定碳化硅单晶的多型结构[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅱ[C];2004年
2 赵玉文;;光伏发电在本世纪我国能源发展中的战略地位[A];中国太阳能学会2001年学术会议论文摘要集[C];2001年
中国博士学位论文全文数据库 前9条
1 郭辉;SiC器件欧姆接触的理论和实验研究[D];西安电子科技大学;2007年
2 张昊翔;硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究[D];浙江大学;2001年
3 任卫;反相微乳液法制备纳米羟基磷灰石的研究[D];武汉理工大学;2003年
4 程东明;无铝半导体激光器列阵及其组装技术的研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2003年
5 李述体;III-Ⅴ族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究[D];南昌大学;2002年
6 隋妍萍;GaN材料的射频等离子体分子束外延生长及其掺杂特性研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2006年
7 常远程;AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究[D];西安电子科技大学;2006年
8 罗谦;AlGaN/GaN HEMT器件物理模型和关键工艺技术研究[D];电子科技大学;2007年
9 刘琨;近场表面增强拉曼散射实验技术与血清分析的研究[D];大连理工大学;2008年
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1 刘忠;基于Ethernet控制网络的OPC技术的研究[D];兰州理工大学;2006年
2 杜凯;基于可编程逻辑控制器的MOCVD控制系统设计及研究[D];西安电子科技大学;2006年
3 王宇;硅基GaN薄膜制备及紫外探测器的初步研究[D];浙江大学;2001年
4 魏茂林;横向外延GaN材料的MOCVD生长与特性研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2001年
5 陈小红;GaN材料及MSM结构紫外光电探测器的研究与制备[D];厦门大学;2002年
6 陈俊;六方相GaN的MOCVD外延生长[D];四川大学;2003年
7 陈练辉;GaInP/AlGaInP多量子阱外延片的生长与光学性质研究[D];华南师范大学;2004年
8 曲钢;GaN/Al_2O_3(0001)大晶格失配异质结构的PAMOCVD外延生长[D];大连理工大学;2004年
9 郎佳红;GaN ECR-PEMOCVD生长表面RHEED图像研究[D];大连理工大学;2004年
10 倪贤锋;MOCVD方法生长硅基GaN与Al_xGa_(1-x)N薄膜及其性能研究[D];浙江大学;2004年
【二级引证文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 叶建东,顾书林,王立宗,张荣,施毅,郑有炓;掺碳氮化镓的光学性质[J];半导体学报;2002年07期
2 李昱峰,韩培德,陈振,黎大兵,王占国;表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质[J];半导体学报;2003年01期
3 薛松,韩彦军,吴震,罗毅;p型GaN欧姆接触的比接触电阻率测量[J];半导体学报;2005年05期
4 罗小林,伍瑞华,何冰强;LED生产分析与探究[J];电子工业专用设备;2005年06期
5 马香柏;郝跃;张进城;;微波功率AlGaN/GaN HEMT的研究进展[J];电子科技;2006年10期
6 李春华;刘光焕;梁建;王晓敏;许并社;;高质量氮化镓纳米线的结构表征[J];电子显微学报;2006年05期
7 颜国君;陈光德;邱复生;Zhaoyan Fan;;氮化铝薄膜的光学性能[J];光子学报;2006年02期
8 荣盘祥;付刚;戴如俊;;一种基于模糊规则切换的Fuzzy-PID双模控制器[J];哈尔滨理工大学学报;2006年06期
9 李红英,郑子樵;高性能航空铝合金结构材料的动态研究[J];湖南有色金属;2001年04期
10 郎佳红,顾彪,徐茵,秦福文,曲钢;标准温度和衬底分步清洗对GaN初始生长影响RHEED研究[J];红外技术;2003年06期
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1 金家富;胡骏;欧光文;;等离子体清洗工艺对多芯片组件工序能力指数的影响[A];2006年全国电子机械和微波结构工艺学术会议论文集[C];2006年
中国博士学位论文全文数据库 前6条
1 王志勇;固体RGB激光光源及其在显示技术方面的应用研究[D];天津大学;2003年
2 巴音贺希格;衍射光栅色散理论与光栅设计、制作和检验方法研究[D];中国科学院研究生院(长春光学精密机械与物理研究所);2004年
3 梁建;新型结构半导体材料的制备与表征[D];太原理工大学;2005年
4 周耐根;薄膜晶体缺陷形成与控制的分子动力学模拟研究[D];南昌大学;2005年
5 刘金锋;SiC薄膜的SSMBE外延生长及其结构表征[D];中国科学技术大学;2007年
6 张群社;PVT法生长SiC晶体的热系统分析[D];西安理工大学;2007年
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1 龚磊;半导体器件模拟分析软件设计[D];湖南大学;2002年
2 赵利;电子束蒸发制备TiO_2薄膜及光学性能的研究[D];武汉理工大学;2003年
3 陈玖琳;几种半导体发光材料最佳掺杂含量的理论研究[D];河北工业大学;2003年
4 刘鹏;用于半导体激光器恒流源的信号转换电路设计[D];吉林大学;2004年
5 毋雪梅;粉粒状建筑垃圾在水泥混凝土中的应用研究[D];郑州大学;2004年
6 孙振翠;硅基扩镓溅射Ga_2O_3反应自组装和热壁化学气相沉积制备GaN薄膜的研究[D];山东师范大学;2004年
7 王志宇;纤锌矿相GaN材料空穴输运特性的全带多粒子Monte Carlo模拟研究[D];河北大学;2005年
8 辛淑英;木质层积复合材热压内部环境研究[D];东北林业大学;2005年
9 吕跃凤;薄膜生长初期过程的计算机模拟[D];西安电子科技大学;2006年
10 刘旭升;高功率短脉冲半导体激光器驱动电源的研制[D];天津工业大学;2006年
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1 高慧莹;;国内LED衬底材料的应用现状及发展趋势[J];电子工业专用设备;2011年07期
2 刘红超;;LED产业技术及研究进展[J];上海第二工业大学学报;2011年02期
3 李宇柱;;SiC电力电子技术综述[J];固体电子学研究与进展;2011年03期
4 尹旭琴;李仰军;卫丽芬;武毅;刘建勋;;蓝宝石镀膜方法研究[J];光学仪器;2009年06期
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7 ;[J];;年期
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1 邓冬梅;于乃森;王勇;邹新波;陈朋;刘纪美;;Ⅲ族氮化物发光二极管在多孔硅上的生长[A];第十一届全国MOCVD学术会议论文集[C];2010年
2 牛沈军;王建利;丰梅霞;周传新;兰天平;;光电器件用GaAs衬底材料的技术发展[A];2004年中国材料研讨会论文摘要集[C];2004年
3 鲁泥藕;霍承松;付利刚;石红春;孙加滢;杨海;;CVD复制技术制备ZnS头罩[A];2007年光电探测与制导技术的发展与应用研讨会论文集[C];2007年
4 贺训军;金博识;吴群;;基于MEMS分布式移相器毫米波段材料特性分析[A];2005'全国微波毫米波会议论文集(第一册)[C];2006年
5 江风益;;硅衬底氮化镓LED材料与器件研发进展[A];第11届全国发光学学术会议论文摘要集[C];2007年
6 秦志新;陈志忠;张国义;;采用射频N_2等离子体对(001)GaAs表面氮化的研究[A];第九届全国发光学术会议摘要集[C];2001年
7 孙贵如;李玉珍;;水平法生长GaAs单晶中砷微沉淀及碳微夹杂的研究[A];第三次中国电子显微学会议论文摘要集(二)[C];1983年
8 于广辉;林朝通;王新中;曹明霞;雷本亮;齐鸣;李爱珍;;厚膜氮化镓材料的HVPE生长[A];第11届全国发光学学术会议论文摘要集[C];2007年
9 文于华;范冰丰;骆思伟;王钢;刘扬;;通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
10 杨卫桥;干富熹;邓佩珍;徐军;李抒智;张荣;;用MOCVD法在LiGaO_2(001)上生长GaN的研究[A];中国硅酸盐学会2003年学术年会论文摘要集[C];2003年
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1 闻泽;山东出台半导体照明产业发展规划[N];中国电子报;2008年
2 钟祺;三年后批量产蓝光激光器[N];东莞日报;2009年
3 记者贾西平;我国研制成功十八英寸直拉硅单晶[N];人民日报;2002年
4 ;LED应用处于前列 期待形成自主品牌[N];中国电子报;2009年
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1 周忠坡;铬掺杂氮化物半导体外延和磁性研究[D];武汉大学;2011年
2 闫大为;宽禁带Ⅲ族氮化物半导体器件输运与界面特性研究[D];南京大学;2011年
3 潘杨;分子束外延生长InN薄膜和纳米结构及物性研究[D];武汉大学;2011年
4 傅德颐;半导体应变和极化诱导能带工程及其动力学输运研究[D];南京大学;2012年
5 孙佳胤;GaN外延生长中的SOI柔性衬底技术研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2007年
6 崔勇国;采用MOCVD方法在Si和GaAs衬底上生长ZnO薄膜及其特性研究[D];吉林大学;2006年
7 卢红亮;原子层淀积高介电常数栅介质研究[D];复旦大学;2006年
8 陶春兰;并五苯性质的研究及其场效应晶体管的研制[D];兰州大学;2009年
9 张昊翔;硅基GaN薄膜材料及紫外探测器原型器件研究[D];浙江大学;2001年
10 程新红;图形化SOI射频功率器件研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2005年
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1 杨继飞;Ⅲ族氮化物GaN和AlN光电特性的理论研究[D];河南师范大学;2012年
2 陈琦;热丝化学气相沉积制备大面积金刚石薄膜工艺的研究[D];天津理工大学;2008年
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4 张曌;InGaN薄膜和InN薄膜的阴极荧光研究[D];南京大学;2012年
5 王明月;基于PL谱对GaN材料高密度激子发光机理的研究[D];南京大学;2012年
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7 陶涛;InGaN/GaN量子阱结构生长与分析及PECVD法氮化硅薄膜工艺[D];南京大学;2012年
8 任雅茜;工作于1.3μm的M-Z型铌酸锂强度调制器的设计与制作[D];电子科技大学;2006年
9 张磊兢;低损耗混合信号集成电路衬底研究[D];华东师范大学;2008年
10 刘炼;MOCVD生长的InGaN/GaN薄膜光电特性研究[D];南京大学;2012年
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