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《半导体学报》 1998年01期
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脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射

郑祥钦  郭新立  廖良生  刘治国  
【摘要】:用准分子激光在含氧气氛中对硅靶材料进行反应剥离,并让反应生成物沉积在单晶硅片表面上.用X射线光电子能谱、透射电镜分析,以及光致发光谱等方法对沉积的薄膜进行研究.结果显示,形成的薄膜是非晶态的二氧化硅组分,并且在其中含有少量的微米量级的多晶硅颗粒,在440nm附近的蓝光范围内有一光致发光带,初步认为它是由形成的二氧化硅中的氧空位缺陷引起的

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