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《半导体学报》 1995年02期
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用脉冲腐蚀制备发光多孔硅

范洪雷  侯晓远  李喆深  张甫龙  俞鸣人  王迅  
【摘要】:采用脉冲腐蚀方法,研究多孔硅的动态腐蚀过程,测定了动态电流和时间的关系,提出并讨论了动态腐蚀机理.用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅,与直流腐蚀相比较,脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅,而且PL峰位有一定的蓝移,我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法,并对此作了初步的讨论.

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【引证文献】
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10 徐少辉,熊祖洪,顾岚岚,柳毅,丁训民,侯晓远;电化学脉冲腐蚀法制备窄峰发射的多孔硅微腔[J];半导体学报;2002年03期
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