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AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质

陶春旻  陶亚奇  陈诚  孔月婵  陈敦军  沈波  焦刚  陈堂胜  张荣  郑有炓  
【摘要】:采用高温Hall测量仪对一个全应变和一个部分应变弛豫的AlGaN/GaN异质结构中2DEG的高温输运特性进行了研究,温度变化范围从室温到680K.研究结果表明:在高温段2DEG的迁移率主要受LO声子散射限制;在室温,异质界面处的非均匀压电极化场对2DEG迁移率的散射也是一个主要的散射机制.同时,计算结果显示,随着温度升高,更多的电子跃迁到更高的子带,在更高的子带,其波函数逐渐扩展到AlGaN层内部以及GaN体内更深的位置,导致LO声子散射的屏蔽效应减弱且来自AlGaN层内的合金无序散射增强.

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1 陶春旻;陶亚奇;陈诚;孔月婵;陈敦军;沈波;焦刚;陈堂胜;张荣;郑有炓;;AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质[J];半导体学报;2006年07期
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