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《半导体学报》 2003年07期
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确定PHEMT器件等效电路的一种新方法

谢利刚  张斌  
【摘要】:提出了一种新的确定 PHEMT器件小信号等效电路方法 .这种方法包括对本征元件与非本征元件的解析求解以及逆向求解优化非本征元件 ,从而提高非本征元件值的精度 ,使得整个等效电路的精度大大提高 .这种方法迅速而准确 ,用 Matlab编制的程序可重复使用 .确定的等效电路可以很好地与测量值吻合至 2 0 GHz.
【作者单位】南京电子器件研究所 南京电子器件研究所
【分类号】:TN323.4

【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 卢东旭;非线性器件模型的建立[D];河北工业大学;2007年
【参考文献】
中国期刊全文数据库 前2条
1 陈俊,刘训春;用模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数[J];半导体学报;2001年01期
2 石瑞英,刘训春,钱永学,石华芬;用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数[J];半导体学报;2002年09期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前5条
1 石瑞英,刘训春,钱永学,石华芬;用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数[J];半导体学报;2002年09期
2 钱永学,刘训春;InGaP/GaAs HBT微波功率放大器的设计[J];半导体学报;2003年07期
3 石华芬,刘训春,张海英,石瑞英,王润梅,汪宁,罗明雄;0.25μm GaAs基MHEMT器件[J];半导体学报;2004年03期
4 张有涛,夏冠群,高建峰,李拂晓,铁宏安,杨乃彬;用改进的遗传算法精确提取GaAs MESFET小信号等效电路参数[J];半导体学报;2004年07期
5 刘桂云,张义门,张玉明;一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法[J];半导体学报;2005年04期
中国博士学位论文全文数据库 前2条
1 刘钊;微波神经网络技术研究[D];天津大学;2004年
2 张有涛;DRFM用GaAs超高速ADC、DAC电路设计与实现[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2005年
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 朱磊;AlGaN/GaN HEMT E类功率放大器设计[D];电子科技大学;2007年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前9条
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2 王同祥;武继斌;张务永;;X波段功率单片放大器的研制[J];半导体技术;2005年12期
3 谢晓锋,鲁勇,李钊,阮骏,姚依,张文俊,杨之廉;半导体器件建模与优化系统[J];半导体学报;2003年03期
4 刘桂云,张义门,张玉明;一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法[J];半导体学报;2005年04期
5 费元春,陈世伟;微波单片集成电路及其发展趋势[J];北京理工大学学报;1996年03期
6 陈效建,乔宝文,戚友芹,郝西萍,刘军,王军贤;Ku波段PHEMT单片低噪声放大器的设计与实验[J];电子学报;1998年11期
7 杨林安,于春利,张义门,张玉明;SiC MESFET的大信号电容解析模型[J];电子学报;2002年02期
8 彭龙新;李建平;李拂晓;杨乃彬;;5~22GHz平坦高增益单片低噪声放大器[J];固体电子学研究与进展;2006年02期
9 杨林安,张义门,龚仁喜,张玉明;4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析[J];物理学报;2002年01期
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前3条
1 穆甫臣,李志国,张万荣,郭伟玲,孙英华,严永鑫;对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进[J];半导体学报;1999年03期
2 陈俊,刘训春;用模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数[J];半导体学报;2001年01期
3 谢晓锋,李钊,阮骏,姚依,张文俊,杨之廉;应用遗传算法实现MOS器件综合[J];半导体学报;2002年01期
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