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《半导体学报》 2003年07期
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半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷

徐岳生  张春玲  刘彩池  唐蕾  王海云  郝景臣  
【摘要】:通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和 X射线异常透射形貌等技术 ,研究了半绝缘砷化镓单晶中的位错和微缺陷 .实验发现用常规液封直拉法制备出的直径大于或等于 75 mm的半绝缘砷化镓单晶在晶体周边区域 ,一般都有由高密度位错的运动和反应而形成的蜂窝状网络结构 ,并且位错和微缺陷之间 ,有着强烈的相互作用 ,位错吸附微缺陷 ,微缺陷缀饰位错 .

【引证文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣;半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响[J];半导体学报;2005年01期
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 付生辉;LEC法生长SI-GaAs衬底缺陷对MESFET器件电性能的影响[D];河北工业大学;2004年
【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲;掺Te-GaAs单晶微缺陷微沉淀的研究[J];半导体学报;1981年01期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前6条
1 何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲;掺Te-GaAs单晶微缺陷微沉淀的研究[J];半导体学报;1981年01期
2 何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲,褚一鸣;原生掺Si砷化镓单晶微缺陷的研究[J];半导体学报;1983年06期
3 周伯骏,钟兴儒,曹福年,林兰英,达道安,吴开林,黄良甫,郑松辉,谢燮;太空熔体生长砷化镓单晶[J];半导体学报;1988年05期
4 刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余,詹琰;背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响[J];半导体学报;1999年12期
5 徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣;半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响[J];半导体学报;2005年01期
6 范缇文;;砷化镓和直拉硅单晶中微沉淀物的EDS和EELS检测[J];电子显微学报;1986年03期
中国博士学位论文全文数据库 前2条
1 张有涛;DRFM用GaAs超高速ADC、DAC电路设计与实现[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2005年
2 孙卫忠;半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的杂质与缺陷[D];河北工业大学;2006年
中国硕士学位论文全文数据库 前3条
1 张春玲;半绝缘砷化镓中微缺陷的研究[D];河北工业大学;2002年
2 唐蕾;半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究[D];河北工业大学;2003年
3 付生辉;LEC法生长SI-GaAs衬底缺陷对MESFET器件电性能的影响[D];河北工业大学;2004年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 黄裕年;用光导半导体开关产生高功率微波[J];半导体光电;1998年02期
2 黄裕年;采用光导半导体开关的脉冲功率系统[J];半导体光电;2000年05期
3 邹德恕,廉鹏,殷涛,李爽,刘莹,高国,罗辑,杜金玉,沈光地;碳掺杂GaAs激光器侧向扩展电流的研究[J];半导体技术;1999年06期
4 谢自力;SI-GaAs单晶中深能级陷阱退火特性研究[J];半导体技术;2002年07期
5 牛沈军;王建利;兰天平;;VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制[J];半导体技术;2006年07期
6 何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲;掺Te-GaAs单晶微缺陷微沉淀的研究[J];半导体学报;1981年01期
7 施卫;高倍增GaAs光电导开关的光激发电荷畴模型(英文)[J];半导体学报;2001年12期
8 施卫,田立强;半绝缘GaAs光电导开关的击穿特性[J];半导体学报;2004年06期
9 施卫,张显斌,贾婉丽,李孟霞,许景周,张希成;用飞秒激光触发GaAs光电导体产生THz电磁波的研究[J];半导体学报;2004年12期
10 施卫,戴慧莹,张显斌;用1064nm激光脉冲触发半绝缘Ga As光电导开关的奇特光电导现象(英文)[J];半导体学报;2005年03期
中国博士学位论文全文数据库 前2条
1 张同意;非线性光电导开关高功率超短电脉冲产生技术的研究[D];西安电子科技大学;2002年
2 龚仁喜;GaAs光导开关的线性及非线性特性研究[D];西安电子科技大学;2002年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 赵晶;高倍增GaAs光电导开关的计算机模拟[D];西安理工大学;2002年
2 张春玲;半绝缘砷化镓中微缺陷的研究[D];河北工业大学;2002年
3 唐蕾;半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究[D];河北工业大学;2003年
4 田立强;光电导开关非线性模式的机理分析及应用研究[D];西安理工大学;2004年
5 杨新荣;非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布的影响[D];河北工业大学;2004年
6 张兴宁;太赫兹应用技术研究[D];浙江大学;2005年
7 李孟霞;利用蒙特卡罗方法研究THz辐射特性和光生载流子输运特性[D];西安理工大学;2006年
8 马海江;太赫兹电磁辐射增强特性的理论研究[D];浙江大学;2006年
9 陈钰玲;太赫兹量子阱探测器的研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2006年
10 孙红起;太赫兹时域光谱系统的性能研究[D];首都师范大学;2007年
【二级引证文献】
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1 彭晶;压电单晶表面质量微观分析研究[D];电子科技大学;2007年
【相似文献】
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1 王海云,张春玲,唐蕾,刘彩池,申玉田,徐岳生,覃道志;半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的微缺陷的研究[J];稀有金属;2004年03期
2 Seigo Kishino,黄子伦;硅单晶中的氧和碳在超大规模集成电路技术中的作用[J];微电子学;1983年06期
3 河村力,辛水库;硅中微缺陷及器件特性(上)[J];微电子学;1980年05期
4 丁乐礼,傅汝廉,开桂云;硅片中微缺陷的CO_2激光自动选择退火[J];中国激光;1986年09期
5 周士仁,王贵华,孙安纳,王柏林,严仁谨,苏跃青,张丽婵,欧阳仪偋;硅外延层中“雾状”微缺陷对器件性能的影响及改善措施——正面吸除技术及亮片生产工艺[J];半导体技术;1980年02期
6 刘鸿飞,秦福,朱悟新,尤重远,陈开茅;扫描隧道显微镜重掺硅(111)表面微缺陷研究[J];半导体学报;1996年07期
7 贝红斌;重掺硅(111)表面的微缺陷[J];半导体技术;1998年01期
8 王柏林,王贵华,周士仁,孙安纳;硅外延层中雾状微缺陷的形成及不同沾污区的形貌[J];半导体技术;1979年06期
9 ;无位错硅单晶中的微缺陷[J];复旦学报(自然科学版);1976年Z1期
10 刘玉岭;集成电路制备中金属杂质与微缺陷的自吸除[J];半导体技术;1981年01期
中国重要会议论文全文数据库 前6条
1 王葛亚;施天生;张素英;;碲化铅镀膜材料中的微缺陷[A];第八次全国电子显微学会议论文摘要集(Ⅱ)[C];1994年
2 钱家骏;王占国;万寿科;林兰英;;退火直拉硅中小于10nm的微缺陷[A];第五次全国电子显微学会议论文摘要集[C];1988年
3 范缇文;;砷化镓和直拉硅单晶中微沉淀物的EDS和EELS检测[A];第四次全国电子显微学会议论文摘要集[C];1986年
4 都安彦;邹进;冯国光;侯宏启;黄琦;周均铭;;In Ga As/Ga As超晶格的界面研究[A];第五次全国电子显微学会议论文摘要集[C];1988年
5 邹进;都安彦;冯国光;丁爱菊;侯宏启;黄琦;周均铭;;GaAs/Si外延层的TEM研究[A];第五次全国电子显微学会议论文摘要集[C];1988年
6 范缇文;李成基;周伯骏;;空间生长的GaAs单晶的结构特性观察[A];第五次全国电子显微学会议论文摘要集[C];1988年
中国重要报纸全文数据库 前1条
1 记者 肖国强;浙大研制成功12英寸掺氮硅单晶[N];浙江日报;2003年
中国博士学位论文全文数据库 前3条
1 陈加和;大规模集成电路用同族元素掺杂直拉硅单晶的微缺陷及其缺陷工程[D];浙江大学;2008年
2 曾庆凯;直拉硅单晶中微缺陷演变的相场模拟研究[D];山东大学;2012年
3 徐进;直拉硅单晶中氧沉淀及其诱生缺陷的透射电镜研究[D];浙江大学;2003年
中国硕士学位论文全文数据库 前9条
1 张春玲;半绝缘砷化镓中微缺陷的研究[D];河北工业大学;2002年
2 常麟;300mm直拉硅单晶生长过程中微缺陷的数值分析[D];北京有色金属研究总院;2011年
3 付生辉;LEC法生长SI-GaAs衬底缺陷对MESFET器件电性能的影响[D];河北工业大学;2004年
4 唐蕾;半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究[D];河北工业大学;2003年
5 李红;掺锗直拉硅单晶中微缺陷的研究[D];浙江大学;2004年
6 陆骏;新型薄膜缺陷显微检测技术的研究[D];浙江大学;2007年
7 赵彦桥;大直径SI-GaAs中缺陷的微观特性及其分布[D];河北工业大学;2007年
8 李宗峰;高温氩退火对提高硅片质量的研究[D];北京有色金属研究总院;2011年
9 杨春花;GaAs光电阴极缺陷特性研究[D];南京理工大学;2012年
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