收藏本站
《半导体学报》 2002年07期
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长

陈敦军  毕朝霞  沈波  张开骁  顾书林  张荣  施毅  胡立群  郑有炓  孙学浩  万寿科  王占国  
【摘要】:用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的存在 .对不同P组分的GaN1-xPx 样品进行了低温光致发光 (PL)测试 ,与来自GaN衬底的带边发射相比 ,随三元合金中P组分的变化 ,GaN1-xPx 的PL峰呈现出了不同程度的红移 .在GaN1-xPx 的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰 ,表明该合金材料没有发生相分离 .

【引证文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 张开骁,沈波,陈敦军,张荣,施毅,郑有炓,李志锋,陆卫;用MOCVD方法制备的GaN_(1-x)P_x三元合金的喇曼与红外光谱[J];半导体学报;2004年01期
【二级引证文献】
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 周海;杭寅;姚绍峰;;蓝宝石晶片表面净化技术研究[A];2005年机械电子学学术会议论文集[C];2005年
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前2条
1 陈敦军,毕朝霞,沈波,张开骁,顾书林,张荣,施毅,胡立群,郑有炓,孙学浩,万寿科,王占国;GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长[J];半导体学报;2002年07期
2 张开骁,沈波,陈敦军,张荣,施毅,郑有炓,李志锋,陆卫;用MOCVD方法制备的GaN_(1-x)P_x三元合金的喇曼与红外光谱[J];半导体学报;2004年01期
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 张开驹;林仕麒;邬远祥;张开骁;吴建伟;;应变对GaN_(1-x)P_x三元合金混溶隙的影响[A];光电技术与系统文选——中国光学学会光电技术专业委员会成立二十周年暨第十一届全国光电技术与系统学术会议论文集[C];2005年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026