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《半导体学报》 2000年03期
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MOSFET热载流子退化/寿命模型参数提取

杨谟华  于奇  王向展  陈勇  刘玉奎  肖兵  杨沛锋  方朋  孔学东  谭超元  钟征宇  
【摘要】:基于 MOSFET热载流子可靠性物理 ,并结合电应力条件下热载流子退化特征量ΔIds/Ids0 、Isub等实测数据的拟合处理 ,发展了可表征退化物理意义的衬底电流与退化 /寿命参数提取模型 ;进而由自动测试 ATE与 CAD技术相结合的监测系统 ,实现了载流子速度饱和临界电场Ecrit、有效导电长度 LC和寿命因子 H、m、n提取 .实验研究结果表明 ,模型及提取参数合理可信 ,并可进一步应用于 MOSFET及其电路的退化 /寿命模拟预测