收藏本站
《半导体学报》 2000年01期
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应

刘汝萍  夏冠群  赵建龙  翁建华  张美圣  郝幼申  
【摘要】:设计了一套适用于二种工艺(离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺)的背栅效应测试版图,用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区,在非掺杂的半绝缘GaAs 衬底上制备GaAs MESFETs 器件.研究了这二种不同工艺制备的MESFETs 器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小.结果表明,采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs 器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小,背栅效应的大小与距离近似成反比,采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大.

【引证文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 李凡;史衍丽;赵鲁生;徐文;;太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算[J];红外与激光工程;2011年07期
【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 吴巨,何宏家,范缇文,王占国,张绵;半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响[J];半导体学报;1997年07期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前5条
1 刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余,詹琰;背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响[J];半导体学报;1999年12期
2 徐岳生,张春玲,刘彩池,唐蕾,王海云,郝景臣;半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷[J];半导体学报;2003年07期
3 徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣;半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响[J];半导体学报;2005年01期
4 张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,杨乃彬;旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响[J];半导体学报;2005年04期
5 徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣;LEC SI-Ga As中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响[J];稀有金属;2004年03期
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 张有涛;DRFM用GaAs超高速ADC、DAC电路设计与实现[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2005年
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
1 张春玲;半绝缘砷化镓中微缺陷的研究[D];河北工业大学;2002年
2 唐蕾;半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究[D];河北工业大学;2003年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前4条
1 陈良惠;;Ⅲ-Ⅴ族半导体全(多)光谱焦平面探测器新进展[J];红外与激光工程;2008年01期
2 史衍丽;;320×256 GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器[J];红外与激光工程;2008年01期
3 史衍丽;曹婉茹;周艳;杨明珠;何丹;;2μm像元间距GaAs/AlGaAs量子阱红外焦平面探测器[J];红外与激光工程;2008年06期
4 陈小红,陈松岩,张玉清,林爱清,陈丽容,邓彩玲;GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究[J];厦门大学学报(自然科学版);2002年06期
【二级引证文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 李琦;夏志伟;丁胜晖;王骐;;采用非局部均值的连续太赫兹图像去噪处理[J];红外与激光工程;2012年02期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 刘汝萍,夏冠群,赵建龙,翁建华,张美圣,郝幼申;半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应[J];半导体学报;2000年01期
2 刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余,詹琰;背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响[J];半导体学报;1999年12期
3 郭惠,杨瑞霞,付浚,刘力锋;GaAs MESFET中的背栅效应[J];半导体情报;2001年05期
4 黄庆安,童勤义;GaAs MESFET栅取向效应中背栅的作用[J];电子学报;1992年08期
5 史常忻,李晓明,忻尚衡,陈益新;P埋层GaAs MESFET研究[J];半导体学报;1987年04期
6 沈国雄,赵鹏程;lμm MESFET/SOS 集成电路制备及液氮温度下器件的工作特性[J];应用科学学报;1983年01期
7 叶禹康,王福臣,楼洁年;单片X波段GaAs MESFET振荡器[J];电子学报;1983年03期
8 冯珅,王福臣,过常宁;单片集成GaAs MESFET微波开关——Ⅰ、微波开关MESFT工作原理[J];固体电子学研究与进展;1986年01期
9 陈晓明;无耗GaAs MESFET单片混频器[J];固体电子学研究与进展;1996年04期
10 吕红亮;张义门;张玉明;车勇;王悦湖;;陷阱效应对4H-SiC MESFET温度特性的影响[J];半导体学报;2008年02期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 秦月梅;邱景辉;梁忠宏;蒋宏宇;李大斌;;功率GaAs MESFET内匹配电路的研究[A];1995年全国微波会议论文集(下册)[C];1995年
2 孙迎新;高葆新;林金庭;;一种双栅MESFET混频特性的分析方法[A];1995年全国微波会议论文集(上册)[C];1995年
3 陈昌礼;洪兴楠;高葆新;;微波MESFET振荡器负载一频率牵引特性的非线性仿真[A];1995年全国微波会议论文集(下册)[C];1995年
4 陈昌礼;洪兴楠;高葆新;;降低微波MESFET振荡器相位噪声的几种有效措施[A];1995年全国微波会议论文集(上册)[C];1995年
5 应子罡;吕昕;高本庆;高建峰;李拂晓;;GaAs高速动态分频器的实现[A];2003'全国微波毫米波会议论文集[C];2003年
6 李馨;齐俊杰;张骐;张跃;;单根ZnO纳米/微米线基MESFET的构建及性能[A];2011中国材料研讨会论文摘要集[C];2011年
7 胡昌洪;;18~26.5GHz混合集成放大器[A];1999年全国微波毫米波会议论文集(上册)[C];1999年
8 陈新宇;陈继义;陈效建;郝西萍;蒋幼泉;李拂晓;;宽带GaAs MESFET开关模型[A];2001年全国微波毫米波会议论文集[C];2001年
9 陈新宇;;GaAs MESFET电压驱动器[A];2005'全国微波毫米波会议论文集(第三册)[C];2006年
10 王易;邓小川;;提高双沟道SiC MESFET性能的双缓冲层结构研究[A];2010’全国半导体器件技术研讨会论文集[C];2010年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 张现军;4H-SiC MESFET的结构优化和理论建模研究[D];西安电子科技大学;2012年
2 徐跃杭;新型高频场效应器件特性与建模技术研究[D];电子科技大学;2010年
3 张林;4H-SiC SBD与MESFET高能粒子辐照效应研究[D];西安电子科技大学;2009年
4 乔明;基于高低压兼容工艺的高压驱动集成电路[D];电子科技大学;2008年
5 程知群;砷化镓微波单片集成电路研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2000年
6 胡少坚;霍尔相位传感器组件及相关关键技术研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2002年
7 朱朝嵩;GaAs阈值电压均匀性与测试系统的研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2002年
8 詹琰;GaAs MESFET器件与光通信GaAs电路的研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2001年
9 盛怀茂;汽车防撞毫米波FMCW雷达前端集成关键技术研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2002年
10 孙卫忠;半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的杂质与缺陷[D];河北工业大学;2006年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 郭惠;NDLECSI GaAs衬底材料对MESFET器件性能的影响[D];河北工业大学;2002年
2 张睿;新型结构的碳化硅MESFET设计与仿真研究[D];西安电子科技大学;2010年
3 刘莹;SiC MESFET功率器件建模[D];电子科技大学;2011年
4 余涔;带隔离层和场板的4H-SiC MESFET结构优化与特性研究[D];西安电子科技大学;2010年
5 王鹏;同时具有隔离层和场板的4H-SiC MESFET特性优化研究[D];西安电子科技大学;2011年
6 曹全君;4H-SiC MESFET参数模型和射频放大器的设计[D];西安电子科技大学;2005年
7 秦建勋;微波功率器件研究[D];电子科技大学;2004年
8 刘立浩;GaAs MESFET击穿特性研究[D];河北工业大学;2003年
9 刘桂云;砷化镓射频功率MESFET大信号模型研究[D];西安电子科技大学;2005年
10 付生辉;LEC法生长SI-GaAs衬底缺陷对MESFET器件电性能的影响[D];河北工业大学;2004年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026