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《半导体学报》 1999年12期
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背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响

刘汝萍  赵建龙  夏冠群  吴剑萍  顾成余  詹琰  
【摘要】:研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离GaAs MESFET的阈值电压及其均匀性的影响.结果表明,背栅效应使GaAs MESFET的阈值电压绝对值变小,均匀性变差.

【引证文献】
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1 张有涛;DRFM用GaAs超高速ADC、DAC电路设计与实现[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2005年
【共引文献】
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1 张党卫,张景文,侯洵;半导体超晶格属性的高分辨率X射线衍射研究[J];光子学报;2002年08期
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1 潘红雅;半导体超晶格的X射线双晶衍射研究[D];长春理工大学;2007年
【同被引文献】
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2 石瑞英,刘训春,钱永学,石华芬;用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数[J];半导体学报;2002年09期
3 赵伟兵,沈延钊,张向民;一种改进的高速DAC电流开关及其控制信号的产生[J];半导体学报;2003年09期
4 刘飞,贾嵩,卢振庭,刘凌,吉利久;带主从式T/H电路的折叠插值A/D转换器[J];半导体学报;2004年04期
5 朱臻,马德群,叶菁华,洪志良;低功耗、全差分流水线操作CMOSA/D转换器[J];半导体学报;2004年09期
6 程嗣怡,吴华,王星;利用数字储频技术对综合脉压雷达实施干扰的研究及应用[J];电讯技术;2004年01期
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10 干汉成;数字储频器设计[J];雷达与对抗;2001年03期
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8 刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余,詹琰;背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响[J];半导体学报;1999年12期
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10 刘汝萍,夏冠群,赵建龙,翁建华,张美圣,郝幼申;半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应[J];半导体学报;2000年01期
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