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《半导体学报》 1997年07期
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半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响

吴巨  何宏家  范缇文  王占国  张绵  
【摘要】:在位错密度不同的LEC半绝缘(SI)GaAs衬底上离子注入制做MESFETs,观察衬底位错对MESFETs旁栅效应的影响.结果表明,衬底中高位错密度可以抑制旁栅效应.

【引证文献】
中国期刊全文数据库 前6条
1 刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余,詹琰;背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响[J];半导体学报;1999年12期
2 刘汝萍,夏冠群,赵建龙,翁建华,张美圣,郝幼申;半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应[J];半导体学报;2000年01期
3 徐岳生,张春玲,刘彩池,唐蕾,王海云,郝景臣;半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷[J];半导体学报;2003年07期
4 徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣;半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响[J];半导体学报;2005年01期
5 张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,杨乃彬;旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响[J];半导体学报;2005年04期
6 徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣;LEC SI-Ga As中AB微缺陷和它对MESFET跨导性能的影响[J];稀有金属;2004年03期
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 张有涛;DRFM用GaAs超高速ADC、DAC电路设计与实现[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2005年
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
1 张春玲;半绝缘砷化镓中微缺陷的研究[D];河北工业大学;2002年
2 唐蕾;半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究[D];河北工业大学;2003年
【同被引文献】
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1 张荣桂;李安平;;半绝缘砷化镓的PL谱及其质量表征[J];半导体情报;1993年03期
2 蒋昌凌;GaAs超高速集成电路的发展与展望[J];半导体情报;1999年01期
3 曹福年;一种显示N~+-GaAs多种缺陷的阳极腐蚀法[J];半导体学报;1980年01期
4 范缇文,何宏家,白玉珂,费雪英;掺Te-GaAs单晶中微缺陷的透射电镜研究[J];半导体学报;1980年04期
5 何宏家,曹福年,范缇文,白玉珂,费雪英,王凤莲;掺Te-GaAs单晶微缺陷微沉淀的研究[J];半导体学报;1981年01期
6 陈诺夫;显示GaAs/AlGaAs缺陷的新方法——超声AB腐蚀[J];半导体学报;1992年12期
7 刘汝萍,赵建龙,夏冠群,吴剑萍,顾成余,詹琰;背栅效应对GaAsMESFETV_(th)均匀性的影响[J];半导体学报;1999年12期
8 徐阳,闵昊;一种高速电流型CMOS数模转换器设计[J];半导体学报;2000年06期
9 陈俊,刘训春;用模拟退火算法从S参数提取HFET小信号等效电路模型参数[J];半导体学报;2001年01期
10 石瑞英,刘训春,钱永学,石华芬;用改进的遗传算法从S参数中提取HBT交流小信号等效电路模型参数[J];半导体学报;2002年09期
【二级引证文献】
中国期刊全文数据库 前7条
1 徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣;半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响[J];半导体学报;2005年01期
2 张有涛,夏冠群,李拂晓,高建峰,杨乃彬;旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响[J];半导体学报;2005年04期
3 于会永;赵有文;占荣;高永亮;惠峰;;VGF法生长的低位错掺Si-GaAs单晶的缺陷和性质[J];半导体学报;2008年09期
4 孙卫忠;牛新环;王海云;刘彩池;徐岳生;;非掺半绝缘砷化镓中的杂质与微缺陷[J];稀有金属材料与工程;2006年10期
5 李凡;史衍丽;赵鲁生;徐文;;太赫兹探测用GaAs MESFET I-V特性模拟计算[J];红外与激光工程;2011年07期
6 戴慧莹;马德明;施卫;;GaAs光导开关超短电脉冲响应特性的研究[J];西安理工大学学报;2007年03期
7 孙卫忠;王娜;王丽华;郝秋艳;刘彩池;;大直径LEC Si-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析[J];现代仪器;2009年05期
中国博士学位论文全文数据库 前4条
1 张有涛;DRFM用GaAs超高速ADC、DAC电路设计与实现[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2005年
2 孙卫忠;半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中的杂质与缺陷[D];河北工业大学;2006年
3 戴慧莹;大功率半绝缘GaAs光电导开关瞬态传输特性及其损伤机理的研究[D];西安理工大学;2008年
4 马德明;砷化镓材料的团簇及其光电特性研究[D];西安理工大学;2009年
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1 赵彦桥;大直径SI-GaAs中缺陷的微观特性及其分布[D];河北工业大学;2007年
2 杨春花;GaAs光电阴极缺陷特性研究[D];南京理工大学;2012年
3 付生辉;LEC法生长SI-GaAs衬底缺陷对MESFET器件电性能的影响[D];河北工业大学;2004年
4 彭晶;压电单晶表面质量微观分析研究[D];电子科技大学;2007年
5 严成海;大孔径SI-GaAs光电导天线非线性模式下THz电磁辐射分析[D];西安理工大学;2008年
6 刘红艳;热处理对大直径LEC SI-GaAs中缺陷及电性能的影响[D];河北工业大学;2008年
7 王娜;离子注入对大直径SI-GaAs晶体缺陷及电学性能的影响[D];河北工业大学;2009年
8 陈勇;SI-GaAs光电导天线产生THz电磁波的性能分析[D];西安理工大学;2009年
【相似文献】
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6 陈晓明;无耗GaAs MESFET单片混频器[J];固体电子学研究与进展;1996年04期
7 陈克金;X波段噪声系数1.4分贝的GaAs MESFET[J];固体电子学研究与进展;1982年02期
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9 戴永胜;GaAs MMIC和功率MESFET的激光通孔接地技术[J];固体电子学研究与进展;1988年03期
10 穆甫臣,李志国,张万荣,郭伟玲,孙英华,严永鑫;对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进[J];半导体学报;1999年03期
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3 陈昌礼;洪兴楠;高葆新;;微波MESFET振荡器负载一频率牵引特性的非线性仿真[A];1995年全国微波会议论文集(下册)[C];1995年
4 陈昌礼;洪兴楠;高葆新;;降低微波MESFET振荡器相位噪声的几种有效措施[A];1995年全国微波会议论文集(上册)[C];1995年
5 应子罡;吕昕;高本庆;高建峰;李拂晓;;GaAs高速动态分频器的实现[A];2003'全国微波毫米波会议论文集[C];2003年
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9 郭惠;NDLECSI GaAs衬底材料对MESFET器件性能的影响[D];河北工业大学;2002年
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