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《半导体学报》 1989年10期
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氢气放电无窗输出型光CVD非晶、微晶硅薄膜

郭述文  朱基千  谭淞生  王渭源  
【摘要】:采用氢气作为无窗输出型真空紫外辐射源的工作气体,产生的高能光子(如真空紫外光)可以直接分解SiH_4或SiH_4+BF_3混合气体,以制备氢化非晶硅(a-Si∶H)和掺硼氟化微晶硅(μc-Si∶F∶H(B))薄膜.测量表明,薄膜具有类似于通常辉光放电或汞敏化紫外光CVD制备的薄膜的结构和电学特性,掺氟化硼后晶化温度可低至200℃.文中对真空紫外光CVD的光解机理以及薄膜的特性进行了初步的探讨.

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 郭述文,谭淞生,王渭源;PECVD硼掺杂微晶硅薄膜的压阻特性[J];物理学报;1988年11期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前7条
1 杜开瑛,石瑞英,谢茂浓,廖伟,张敏;直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构[J];半导体光电;1999年06期
2 杨国伟;高频辉光放电等离子体系统中自负偏压现象的数学解析[J];半导体技术;1998年04期
3 于晓梅,何宇亮,李雪梅,余明斌;PECVD法生长纳米硅薄膜的压敏特性[J];北京航空航天大学学报;1996年01期
4 刘正堂,朱景芝,许念坎,郑修麟;射频反应溅射Ge_xC_(1-x)薄膜的特性[J];红外技术;1996年05期
5 余云鹏,林舜辉,黄翀,林璇英;非晶硅薄膜厚度均匀性对其透射光谱的影响[J];汕头大学学报(自然科学版);2004年01期
6 余云鹏,林舜辉,黄翀,林璇英;基片光学特性对薄膜光强透过谱的影响[J];物理实验;2004年05期
7 张志勇;a-Si_(1-x)N_x:H光敏材料的研究[J];西北大学学报(自然科学版);1995年03期
中国重要会议论文全文数据库 前1条
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中国博士学位论文全文数据库 前5条
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3 顾少轩;GeS_2-Ga_2S_3-CdS体系非线性光学玻璃的制备、结构与性能研究[D];武汉理工大学;2006年
4 郭海涛;GeS_2基硫系非线性光学玻璃的形成、结构与性能研究[D];武汉理工大学;2007年
5 于化丛;氢化纳米硅(na-Si:H)薄膜太阳电池研究[D];上海交通大学;2005年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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3 郝国强;非晶硅薄膜太阳电池的研究[D];河北工业大学;2003年
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5 于春娜;两步法高质量立方氮化硼薄膜的制备和掺杂研究[D];北京工业大学;2003年
6 王青;MW-ECR CVD制备氢化非晶硅薄膜之光电特性研究[D];北京工业大学;2004年
7 宁豪;柔性非晶硅基薄膜太阳电池的研究[D];河北工业大学;2005年
8 张海芳;掺杂Ge-Sb-Se系Fe~(3+)、Cd~(2+)离子敏感薄膜结构与性能研究[D];浙江大学;2006年
9 王丽娟;a-Si:H TFT SPICE模型的研究[D];长春理工大学;2004年
10 刘钧锴;高质量立方氮化硼薄膜的制备和光电特性研究[D];北京工业大学;2006年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前3条
1 杜开瑛,石瑞英,谢茂浓,廖伟,张敏;直接光CVD类金刚石碳膜的初期成膜结构[J];半导体光电;1999年06期
2 谢茂浓,杜开瑛,文芳;真空紫外光直接光CVD SiO_2膜的偏压温度处理[J];半导体情报;1998年03期
3 刘玉荣,杜开瑛,谢茂浓;真空紫外光直接光化学汽相沉积SiO_2界面特性的研究[J];四川大学学报(自然科学版);1996年01期
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 何宇亮,沈宗雍,颜永红;G.D.非晶硅薄膜的晶化特性[J];科学通报;1982年17期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 孙再吉;;FDSOI(全耗尽绝缘体上硅)推动SOI发展[J];半导体信息;2011年02期
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中国重要会议论文全文数据库 前7条
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2 孙振中;刘丰珍;朱美芳;刘金龙;;氩稀释在PECVD高速沉积微晶硅薄膜中的作用[A];第十届中国太阳能光伏会议论文集:迎接光伏发电新时代[C];2008年
3 曾祥斌;孙小卫;李俊峰;齐国钧;;金属诱导晶化的实时电阻测量与监控[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ[C];2004年
4 宋青林;夏善红;陈绍凤;吕耀;;薄膜热导率测量结构的研究[A];第二届全国信息获取与处理学术会议论文集[C];2004年
5 赵林林;徐晨;杨道虹;霍文晓;赵慧;沈光地;;金硅共晶键合在微机械Golay-cell红外探测器中的应用[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集(一)[C];2005年
6 林鸿溢;;非晶态硅的TED和TEM的研究[A];第三次中国电子显微学会议论文摘要集(二)[C];1983年
7 冯勇;朱美芳;刘丰珍;刘金龙;韩一琴;;热丝助PECVD低温多晶硅薄膜制备的研究[A];中国第六届光伏会议论文集[C];2000年
中国重要报纸全文数据库 前3条
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2 记者 毛黎;美科学家设计出硅半导体膜[N];科技日报;2007年
3 常丽君;辉钼有望代替硅成为新一代半导体材料[N];科技日报;2011年
中国博士学位论文全文数据库 前3条
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2 刘传珍;低温多晶硅材料及其器件的研究[D];中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;2000年
3 沈大可;新颖液晶光阀及紫外光电二极管阵列的研究[D];浙江大学;2003年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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2 刘宝峰;半导体器件钝化层Si_3N_4薄膜的制备及特性研究[D];哈尔滨理工大学;2004年
3 肖淑娟;富硅二氧化硅薄膜的光致荧光特性研究[D];山东师范大学;2001年
4 樊双莉;低温等离子体增强CVD技术及制备氮化硅薄膜的研究[D];华南师范大学;2005年
5 孟庆端;LPD方法制作二氧化硅薄膜的研究及其表征[D];大连理工大学;2003年
6 张坤;多晶硅薄膜场效应结构的晶粒间界能态分布[D];暨南大学;2003年
7 刘丽娟;SiCl_4/H_2为气源沉积多晶硅薄膜的电输运特性的研究[D];汕头大学;2008年
8 方晓玲;非晶硅薄膜光学性质的研究及铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜[D];陕西师范大学;2008年
9 王伟明;纳米硅和氧化锌纳米结构的制备及应用研究[D];华东师范大学;2004年
10 程礼鸿;应变Si/SiGe/Si异质结材料的生长研究[D];南京大学;2012年
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