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《半导体学报》 1989年03期
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As~+、Si~+双注入GaAs瞬态退火的行为

范伟栋  王渭源  
【摘要】:研究了不同能量、剂量As~+、Si~+双注入于SI GaAs中,As~+注入对注Ss~+有源层的影响.首次给出了双注入样品瞬态退火后有源层的激活率和载流子迁移率,退火前后材料的沟道谱.实验表明,As~+、Si~+双注入样品比Si~+单注入样品在较低退火温度下就能激活Si~+,在适当高温下能得到性能良好的有源层.

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【共引文献】
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1 顾磊,黄庆安,秦明,张中平,严先蔚;一种新型CMOS兼容湿度传感器[J];半导体学报;2004年02期
2 韦文楼,高英俊;单原子链中间隙原子引起的局域振动[J];广西大学学报(自然科学版);1995年03期
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