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《半导体学报》 1987年02期
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离子注入退火过程中高浓度砷硼再分布扩散的一种新的解析模型

汤庭鳌  Carlos Araujo  
【摘要】:本文采用玻尔兹曼变换法求解高浓度下的砷和硼的扩散方程,并以高斯分布作为离子注入的初始分布,得到了杂质在退火过程中再分布的新的解析模型.还得到了结深、峰值浓度等随退火条件变化的解析表达式.这些结果对MOS和双极器件、电路的工艺设计有实际参考价值.也能用来改进 SUPREM工艺模拟中所采用的模型.

【引证文献】
中国期刊全文数据库 前3条
1 汤庭鳌,郑大卫,C.A.Paz de Araujo;中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在退火过程中再分布的影响[J];半导体学报;1990年08期
2 汤庭鳌,C.A.PazdeAraujo;适用于获得砷硼浅结的快速热退火解析模型[J];复旦学报(自然科学版);1987年03期
3 汤庭鳌,C.A.Paz de Araujo;硅中高浓度注入的硼砷离子在热氧化中的再分布[J];复旦学报(自然科学版);1988年03期
【二级引证文献】
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1 汤庭鳌,C.A.Paz de Araujo;硅线性升温快速热处理氧化动力学模型[J];半导体学报;1991年11期
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