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《半导体学报》 1985年03期
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单晶硅的10.6μm光吸收系数与电阻率的关系

吴仲墀  赵有源  高如芳  钱佑华  
【摘要】:正 10.6μm的CO_2激光,对于一定电阻率范围的晶态硅,正处在载流子光吸收的强吸收区.利用输出光强高度稳定的CO_2激光器作为硅电阻率的无损检测工具,是比较理想的途径之一. 令光束正入射于上下表面为平行镜面、厚度为Z的硅晶体,若样品载流子浓度介于

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【引证文献】
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【共引文献】
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【二级引证文献】
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2 杨辉强 李素现;宁晋局太阳能单晶硅基地走出国门[N];华北电力报;2004年
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5 王迅;河北宁晋太阳能单晶硅产量占世界二成[N];中国有色金属报;2004年
6 记者 李卫华 通讯员 李世强;15亿元单晶硅项目落户杞县[N];河南日报;2010年
7 记者 刘廉君;我成功开发超大晶粒准单晶硅铸锭多项核心技术[N];科技日报;2011年
8 记者 孙瑞生;太阳能用单晶硅项目落户应县[N];山西经济日报;2009年
9 顾雷鸣;保增长调结构抓创新相结合 推动经济社会又好又快发展[N];新华日报;2009年
10 本报记者 于寅虎;宁晋:“产学研”结出单晶硅[N];中国电子报;2002年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 刘艳辉;FeS_2薄膜制备及光电性能[D];浙江大学;2006年
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6 王涛;射频反应磁控溅射制备氮化铜纳米薄膜及其场发射性能研究[D];兰州大学;2009年
7 于化丛;氢化纳米硅(na-Si:H)薄膜太阳电池研究[D];上海交通大学;2005年
8 刘立华;硼碳氮薄膜的制备及性质研究[D];吉林大学;2006年
9 谈发堂;银填充导电胶中表面与界面研究[D];华中科技大学;2006年
10 李晓;EB-PVD制备高硅钢箔及后处理工艺研究[D];哈尔滨工业大学;2008年
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1 夏志林;电子束蒸发制备AZO薄膜的光电性能研究[D];武汉理工大学;2004年
2 焦虎军;新型热电材料的高温高压合成[D];吉林大学;2005年
3 何更新;粉煤灰混凝土导电性能研究[D];重庆大学;2006年
4 井源源;多晶FeS_2薄膜电学性能研究[D];浙江大学;2006年
5 李智明;三维电阻率层析成像研究及应用[D];中国地震局地球物理研究所;2003年
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9 罗九强;大气气溶胶粒子光吸收系数测量系统的研制[D];电子科技大学;2001年
10 张进;金刚石薄膜制备工艺与电学、辐射响应性关系的研究[D];四川大学;2005年
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