SiO_2胶体对磁头表面污染分析

王晓维李炳辉

【摘要】：在发生磁头表面污染的清洗工序收集了被污染的样品并提取了水样,将检查后表面无污染的磁头通过清洗用水浸泡准备了模拟样品。用原子力显微镜和超级扫描电子显微镜对两种磁头样品形貌进行观察,结果表明,污染物由20nm左右的纳米微粒组成;采用飞行时间二次离子质谱仪、透射电子显微镜和能量损失谱仪表征了两种样品的污染物成分和微观结构,确定出两种样品污染物同为SiO2;用电感耦合等离子体质谱仪检测污染发生时清洗用水水样,发现Si含量严重超标达到16 600μg/L;在讨论了SiO2在水中存在的形式后,推断出SiO2胶体造成水处理过程中的反渗透膜和离子交换树脂失效,使大量SiO2胶体流入清洗用水造成磁头表面污染。

【作者单位】：东莞新科技术研究开发有限公司材料科学实验室;
【关键词】：磁头 表面污染 飞行时间二次离子质谱仪(TOF-SIMS) 透射电子显微镜 SiO胶体 反渗透膜 离子交换树脂
【分类号】：TP333.35
【正文快照】：

0引言电脑磁头是目前电脑硬盘中的核心电子器件,电子元器件的制造需要大量高品质的纯水、超纯水,电子级超纯水是目前世界上纯净品质要求最高的水。纯水是对电解质杂质含量(常以电阻率表征)和非电解质杂质(如微粒、有机物、细菌和溶解气体等)含量均有要求的水。在电子级超纯水

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