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《微纳电子技术》 1986年01期
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离子注入GaAsFET的解析模型

Tzu-Hung Chen  汤西英  
【摘要】:本文叙述了用来计算离子注入GaAsFET的I-V特性的解析模型。该模型考虑了背栅、封层、源和漏串联电阻、输出电导。给出了I-V特性的一个简单的解析表达式。该模型对GaAsFET和IC参数测量和计算机辅助设计也很适用。尤其是有效注入电荷和激活效率可通过测量夹断电压推导出来。该理论也可用于GaAsFET掺杂分布的最佳化。计算结果与实验数据非常相符。

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