收藏本站
《半导体情报》 1983年03期
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

GaAs MESFET中限制功率的击穿效应

William R. Frensley  李松法  
【摘要】:现代的GaAs MESFET在输入功率增大时,都有输出功率饱和的现象。实验表明:这种功率饱和是由正向栅电导和反向栅-漏击穿等因素共同造成的。通过对平面结构和凹槽栅FET的二维数值模拟详细地研究了反向击穿电压。这些模拟表明:击穿发生在栅的漏侧边缘。根据数值模拟的结果提出了一个可以解析求解的耗尽层结构的模型。这一模型表明击穿电压反比于掺杂浓度和有源层厚度的乘积。

【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 汤勇前;;谈谈PLC控制系统抗干扰[J];企业家天地(理论版);2011年05期
2 ;[J];;年期
3 ;[J];;年期
4 ;[J];;年期
5 ;[J];;年期
6 ;[J];;年期
7 ;[J];;年期
8 ;[J];;年期
9 ;[J];;年期
10 ;[J];;年期
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 吴莉莉;李鑫;惠国华;潘敏;陈裕泉;;一种基于随机共振的气敏传感器检测系统的研究[A];第六届全国信息获取与处理学术会议论文集(3)[C];2008年
中国博士学位论文全文数据库 前4条
1 黄家锐;一维纳米材料的场致电离传感器的研制及其气敏特性研究[D];中国科学技术大学;2006年
2 吴莉莉;纳米碳管气敏传感器及随机共振检测系统的研究[D];浙江大学;2007年
3 孟凡利;基于一维纳米材料的气体传感器及其应用研究[D];中国科学技术大学;2009年
4 惠国华;基于随机共振和定向多壁纳米碳管气敏传感器阵列的SF_6气体检测系统的研究[D];浙江大学;2008年
中国硕士学位论文全文数据库 前8条
1 林辉;基于气体电离的气敏传感器的研究[D];浙江大学;2007年
2 吴嘉浩;基于碳纳米管的电离式微气体传感器的制备与性能研究[D];上海交通大学;2008年
3 袁青;新型气体传感器的研究[D];浙江大学;2008年
4 罗展清;CMOS汽车电子电压调节器[D];贵州大学;2008年
5 王丽敏;故障高压绝缘子漏电信号在线检测及分析[D];东南大学;2005年
6 刘海;碳纳米管微离化传感器的应用研究[D];上海交通大学;2009年
7 向莉;H桥功率驱动电路设计及其BCD工艺平台开发[D];电子科技大学;2011年
8 蒋亚彬;电除尘器自动控制技术的研究[D];南京理工大学;2003年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026