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《微纳电子技术》 1979年04期
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液相外延生长高质量多层(AlGa)As-GaAs的新方法

Yoshiji Horikoshi  章征龙  
【摘要】:为生长多层半导体,如Al_xGa_(1-x)As-GaAs双异质结构层,研究了一种新的液相外延生长方法。这种方法有两个特点:一是附加GaAl蒸气到生长气氛中;另一是用新舟结构使多层液相外延生长能在不摩擦生长熔体的情况下进行。用这种方法生长的双异质结片在整个片子上(10×12毫米)都是十分均匀的,这意味着它的每一部分都适于制作长寿命的激光器。由同一片子制作的激光器起始电流分散程度不超过±10%。

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