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《半导体情报》 1978年04期
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垂直MOS场效应晶体管(VMOSFET)的功率频率前景

杨培根  章征龙  
【摘要】:正 和所有多子器件一样,MOSFET没有热崩和二次击穿,本身就有潜力能作为一个高频功率器件。虽然小信号用MOSFET早已大量生产和应用,而MOS高频功率FET却很晚才出现。这是为什么呢?主要受两方面限制,一是在经典的水平沟道MOS器件中,频率受沟道长度的限制,因而就受光刻工艺精度的限制;二是漏电压难于作得很高,功率不易作上去,若单纯增加面积,则不但工艺困难,而且反过来会降低频率。但是随着半导体硅工艺的发展,不但出现了高频大功率的平面MOSFET,而且出现了双扩散MOS(DMOS)和VMOS。它们不但在固体电路中得到广泛的应用,而且很

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