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《半导体技术》 1997年06期
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平面型电力半导体器件击穿电压的优化设计

王彩琳  聂代祚  
【摘要】:通过对平面型电力半导体器件场限环终端击穿电压的分析,指出了传统设计方法的缺点,提出了一种新的优化设计方法,使器件的体内击穿电压和终端击穿电压达成匹配,从而提高了器件耐压的稳定性和可靠性
【作者单位】西安电力电子技术研究所 西安理工大学
【分类号】:TN314.2

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【引证文献】
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1 高琰;新结构低功耗IGBT的研究[D];北京工业大学;2002年
2 李莹;绝缘栅双极晶体管技术研究[D];哈尔滨理工大学;2006年
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【二级引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
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