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电子辐照CZ-Si单晶的深能级

丁扣宝  胡莲君  
【摘要】:常温下用剂量为4×10(15)电子/cm2的1.8MeV电子束对CZ-Si单晶制成的p+n二极管进行了辐照,采用深能级瞬态谱技术(DLTS)在该样品中观察到4个深能级,并对其形成原因进行了讨论。

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