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《半导体技术》 2019年08期
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单晶SiC电化学腐蚀及化学机械抛光

考政晓  张保国  于璇  杨盛华  王万堂  刘旭阳  韦伟  马腾达  
【摘要】:通过电化学工作站对4英寸(1英寸=2.54 cm)n型单晶SiC(4H-SiC)进行电化学腐蚀特性研究,采用36GPAW-TD单面抛光机对其Si面和C面进行了化学机械抛光(CMP)。结果表明,采用H_2O_2和NaClO作为氧化剂,均可促进SiC的电化学腐蚀并提高其抛光去除速率,其促进作用与氧化剂浓度和抛光液的pH值密切相关。选择含体积分数5%的H_2O_2、pH值为12的SiO_2抛光液对SiC进行CMP,得到的Si面抛光速率可以达到285.7 nm/h。在含H_2O_2抛光液中引入适量的NaNO_3和十二烷基硫酸钠,SiC表现出较高的腐蚀电位绝对值和去除速率。在H_2O_2和NaClO抛光液体系中,SiC的去除速率与其腐蚀电位的绝对值正相关,该结果对实际应用有一定的借鉴意义。

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【参考文献】
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