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《半导体技术》 2011年10期
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深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响

孟庆芳  陈鹏  郭媛  于治国  杨国锋  张荣  郑有炓  
【摘要】:为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的长波长发光峰,根据这个发光峰的强度与温度之间的依赖关系,通过数据拟合,得到了深能级的平均激活能,约为199 meV。由于有源区中存在大量深能级,也对白光LED的I-V特性产生一定影响,有源区中的深能级成为额外的载流子源,使白光LED的I-V特性表现出独特的性质。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 李娜,赵德刚,刘宗顺,朱建军,张书明,杨辉;GaN外延材料中持续光电导的光淬灭[J];半导体学报;2005年02期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前3条
1 张泽洪,赵德刚,孙元平,冯志宏,沈晓明,张宝顺,冯淦,郑新和,杨辉;立方相GaN的持续光电导[J];半导体学报;2003年01期
2 李娜,赵德刚,刘宗顺,朱建军,张书明,杨辉;GaN外延材料中持续光电导的光淬灭[J];半导体学报;2005年02期
3 马洪磊,杨莺歌,刘晓梅,刘建强,马瑾;GaN薄膜的研究进展[J];功能材料;2004年05期
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
1 苏志国;GaN基光导器件的光电导研究及紫外薄膜材料均匀性测试系统[D];山东大学;2007年
2 张全德;氮化镓纳米颗粒的制备及性质研究[D];山东大学;2007年
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 张泽洪,赵德刚,孙元平,冯志宏,沈晓明,张宝顺,冯淦,郑新和,杨辉;立方相GaN的持续光电导[J];半导体学报;2003年01期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 叶建东,顾书林,王立宗,张荣,施毅,郑有炓;掺碳氮化镓的光学性质[J];半导体学报;2002年07期
2 曾树荣,鲁永令,傅春寅;硅中钛的若干物理性质[J];电子与信息学报;1987年02期
3 卢励吾,周洁,武国英;钛溅射和硅化钛形成在硅中引进深能级的研究[J];电子学报;1993年08期
4 卢励吾,周洁,封松林,钱照明,彭青;硅直接键合界面附近的深能级研究[J];物理学报;1994年05期
5 秦国刚,林昭炯;Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的深能级杂质缺陷[J];发光学报;1983年03期
6 栾洪发,梁骏吾,邓礼生,郑红军,黄大定;掺氮区熔硅单晶深能级的研究[J];半导体学报;1988年03期
7 刘达清,陶长远,张光寅;用PICTS研究非掺杂半绝缘CdTe的深能级[J];红外与激光工程;1995年05期
8 詹华瀚,康俊勇,黄启圣;Laplace缺陷谱方法研究[J];半导体学报;1997年07期
9 晁战云,唐洁影,汪开源;多孔硅深能级谱的测试[J];固体电子学研究与进展;1997年02期
10 郭小兵,周智慧,胡恺生,张绵;砷化镓衬底与MESFET中深能级研究[J];固体电子学研究与进展;2001年02期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
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2 刘建奇;王建峰;;高分辨X射线衍射分析HVPE生长的氮化镓厚膜[A];苏州市自然科学优秀学术论文汇编(2008-2009)[C];2010年
3 罗毅;胡卉;韩彦军;郭文平;邵嘉平;薛松;孙长征;郝智彪;;面向半导体照明的氮化镓发光二极管制备的产业化技术的研究[A];海峡两岸第十届照明科技与营销研讨会专题报告文集[C];2003年
4 陈振;刘祥林;王晓晖;陆大成;袁海荣;韩培德;汪度;王占国;;(1102)面蓝宝石衬底上生长氮化镓研究[A];2000年材料科学与工程新进展(下)——2000年中国材料研讨会论文集[C];2000年
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10 何朝峰;肖功亚;赵晓红;孙娟;王祥邦;;氮化镓声表面波器件[A];2009’中国西部地区声学学术交流会论文集[C];2009年
中国重要报纸全文数据库 前10条
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9 记者 潘静;尽快开工建设 早见成效[N];蚌埠日报;2009年
10 记者 钟祺;光大集团8000万注册科技公司[N];东莞日报;2008年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
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3 王泽岩;宽禁带半导体ZnO、GaN及其相关材料的微结构调控与性能研究[D];山东大学;2009年
4 陈志;氮化物合成方法探索及性质研究[D];山东大学;2006年
5 陈可炜;SIMOX SOI材料红外光学以及电学性能研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2003年
6 罗谦;AlGaN/GaN HEMT器件物理模型和关键工艺技术研究[D];电子科技大学;2007年
7 张振兴;稀土掺杂宽带隙氮化物半导体薄膜的制备与性能研究[D];兰州大学;2009年
8 谢兴;氧化物和氮化物特殊纳米结构的化学气相法制备研究[D];中国科学技术大学;2009年
9 常远程;AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究[D];西安电子科技大学;2006年
10 鲍克燕;Ⅲ-Ⅴ族磷化物和氮化物的控制合成及光学性质研究[D];中国科学技术大学;2009年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 邓冬梅;氮化镓材料中深能级的研究[D];辽宁大学;2006年
2 于志伟;GaN基Ni/Au肖特基接触模拟和实验研究[D];电子科技大学;2009年
3 王鸥;宽禁带半导体的辐照效应研究[D];四川大学;2004年
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5 张培增;纤锌矿GaN载流子输运的蒙特卡罗模拟[D];兰州大学;2006年
6 田德恒;硅基镁催化氮化镓一维纳米结构的制备及其显微特性的研究[D];山东师范大学;2006年
7 杜军;InAs/GaAs自组织量子点存储器件研究[D];山东大学;2006年
8 苏志国;GaN基光导器件的光电导研究及紫外薄膜材料均匀性测试系统[D];山东大学;2007年
9 何菊生;纤锌矿n-GaN的补偿度及迁移率模型[D];南昌大学;2007年
10 王古平;GaN基LED用铬基金属基板的制备及其应用研究[D];南昌大学;2007年
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