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《半导体技术》 2010年04期
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利用高频C-V特性评价CMOS工艺

熊海  孔学东  章晓文  汪顺婷  
【摘要】:MOS结构电容由于其结构简单并且和CMOS工艺兼容,是进行实时工艺监控和测试工艺参数的重要测试结构。采用通过对相同工艺不同厂家生产的两批电容样品进行高频C-V测试,编程计算提取器件相关参数。通过对比同一厂家样品中相同面积MOS电容和不同面积电容参数的分布特性,以及不同厂家样品各个参数的差异,对CMOS相关工艺进行评价。为工艺过程以及相关设计的改进提供参考依据。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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中国博士学位论文全文数据库 前10条
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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【相似文献】
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中国重要会议论文全文数据库 前10条
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中国重要报纸全文数据库 前10条
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中国博士学位论文全文数据库 前10条
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10 张坚;选区激光烧结PS/Al_2O_3纳米复合材料若干关键技术研究[D];南京航空航天大学;2005年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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6 蔡庄红;年产500吨无毒增塑剂乙酰柠檬酸三丁酯工艺设计[D];郑州大学;2005年
7 周文;发动机缸体高速加工工艺设计与研究[D];燕山大学;2006年
8 程艳玲;溶胶凝胶法制备羟基磷灰石粉体的新工艺[D];兰州理工大学;2007年
9 周莉萍;废旧家电回收处理系统及其工艺过程的研究[D];合肥工业大学;2006年
10 邬旺;基于多Agent思想的混凝土坝浇筑系统仿真建模研究[D];天津大学;2006年
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