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《半导体技术》 2009年07期
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衬底温度对ZnO:Al薄膜结构和性能的影响

徐玮  于军  王晓晶  袁俊明  雷青松  
【摘要】:利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪分别测试了薄膜的光电学性能。结果表明,衬底温度对薄膜结构及光电学性能影响最大。溅射功率120W、衬底温度300℃、工作气压0.6Pa制得的薄膜具有良好的光电学性能(可见光平均透过率为79.49%(考虑衬底的影响,电阻率为4.99×10-2Ω.cm)。

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