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半导体量子点的发光性质研究

官众  张道礼  
【摘要】:用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能,分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响,及导致发光峰红移的原因。结果显示,In元素有效抑制界面组分的混杂,使得量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄。用InAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3μm发光。

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