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《半导体技术》 2007年09期
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纳米硅镶嵌氮化硅薄膜的制备与光致发光特性

申继伟  郭亨群  曾友华  吕蓬  王启明  
【摘要】:为研究氮化硅薄膜发光材料的制备工艺及其光致发光机制,实验采用射频磁控反应溅射技术与热退火处理制备了纳米硅镶嵌氮化硅薄膜材料。利用红外光谱(IR)、X射线衍射谱(XRD)、能谱(EDS)和光致发光谱(PL),对不同工艺条件下薄膜样品的成分、结构和发光特性进行研究,发现在制备的富硅氮化硅薄膜材料中形成了纳米硅颗粒,并计算出其平均尺寸。在510 nm光激发下,观察到纳米硅发光峰,对样品发光机制进行了讨论,认为其较强的发光起因于缺陷态和纳米硅发光。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前4条
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
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中国重要会议论文全文数据库 前10条
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中国博士学位论文全文数据库 前10条
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 侯海虹;氮化硅薄膜的螺旋波PECVD及其光学特性研究[D];河北大学;2003年
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7 张鹏;阻挡放电——光催化法处理挥发性有机物的试验研究[D];西安建筑科技大学;2004年
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【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前2条
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中国硕士学位论文全文数据库 前1条
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前7条
1 朱美芳,罗光明;用光热偏转谱拟合计算研究非晶硅缺陷态及其稳定性[J];电子学报;1996年02期
2 周赢武,郭亨群,成步文;用Z扫描法测量a-Si/SiO_2多量子阱材料非线性折射率[J];光电子.激光;1999年05期
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7 王颖,申德振,张吉英,刘益春,张振中,吕有明,范希武;退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响[J];液晶与显示;2005年01期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 ;半导体技术[J];中国无线电电子学文摘;2011年04期
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中国重要会议论文全文数据库 前2条
1 汤亮;郝震宏;乔东海;;支持层结构对薄膜体声波谐振器谐振特性的影响[A];2009’中国西部地区声学学术交流会论文集[C];2009年
2 刘奎;苑伟政;邓进军;马炳和;姜澄宇;;微型热敏传感器的薄膜电阻设计研究[A];中国微米、纳米技术第七届学术会年会论文集(一)[C];2005年
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 姜礼华;含硅量子点SiN_x薄膜特性及其在太阳电池中的应用[D];华中科技大学;2012年
中国硕士学位论文全文数据库 前8条
1 吴清鑫;氮化硅薄膜力学性能的研究及其在射频MEMS开关中的应用[D];福州大学;2005年
2 张檀威;SiO_2和Si_3N_4薄膜的PECVD沉积及在半导体光电子器件中的应用研究[D];北京邮电大学;2010年
3 余为国;薄膜阻容网络集成工艺研究[D];电子科技大学;2010年
4 陶涛;InGaN/GaN量子阱结构生长与分析及PECVD法氮化硅薄膜工艺[D];南京大学;2012年
5 曾璞;Fabry-Perot薄膜滤波器薄膜光学特性的研究[D];电子科技大学;2012年
6 桂鹏;大马士革铜互连工艺中氮化硅薄膜层球状缺陷形成机制的研究[D];上海交通大学;2011年
7 王楷群;热电堆红外探测器的设计与性能测试[D];中北大学;2010年
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