收藏本站
《半导体技术》 2007年01期
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展

裴风丽  冯震  陈炳若  
【摘要】:从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。回顾了近年来这些方法的研究进展。

【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前2条
1 赵金霞;基于GaN MOS器件的注入和氧化工艺研究[D];电子科技大学;2009年
2 周文;AlGaN/GaN上STO薄膜的制备以及电学性能研究[D];电子科技大学;2010年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 阳生红,莫党;椭偏光谱及在离子注入硅损伤研究中的应用[J];半导体技术;2000年05期
2 史常忻;AlGaAs/GaAs异质结2-DEG的栅控特性和最挂掺杂[J];半导体学报;1984年03期
3 阳生红,李辉遒,莫党,陈第虎,黄世平;C~+注入Si形成SiC/Si异质结构的椭偏光谱[J];半导体学报;2000年11期
4 张小玲,吕长治,谢雪松,李志国,曹春海,李拂晓,陈堂胜,陈效建;AlGaN/GaN HEMT器件的研制[J];半导体学报;2003年08期
5 肖冬萍,刘键,魏珂,和致经,王润梅,刘新宇,吴德馨;采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件[J];半导体学报;2004年04期
6 金瑞琴,朱建军,赵德刚,刘建平,张纪才,杨辉;p型GaN的掺杂研究[J];半导体学报;2005年03期
7 王冲;岳远征;马晓华;郝跃;冯倩;张进城;;MOS AlGaN/GaN HEMT研制与特性分析[J];半导体学报;2008年08期
8 王勇;李静强;张志国;冯震;宋建博;冯志红;蔡树军;杨克武;;X波段GaN HEMT内匹配器件[J];半导体学报;2008年09期
9 李肖;陈堂胜;李忠辉;焦刚;任春江;;AlGaN/GaN HEMT的B~+注入隔离[J];固体电子学研究与进展;2007年03期
10 余平;张晋敏;;椭偏仪的原理和应用[J];合肥学院学报(自然科学版);2007年01期
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 马继开;4H-SiC MOS结构工艺与电学特性研究[D];大连理工大学;2007年
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 杨燕;王文博;郝跃;;AlGaN/GaN异质结构的欧姆接触[J];半导体学报;2006年10期
2 王帅;陈堂胜;张斌;李拂晓;陈辰;龚敏;;7.5~9.5GHz AlGaN/GaN HEMT内匹配微波功率管[J];固体电子学研究与进展;2007年02期
3 钟红生;孙玲玲;董林玺;;AlGaN/GaN HEMT热形貌分布特性仿真[J];杭州电子科技大学学报;2011年03期
4 王淑君;黄常胜;曹余录;王福兴;;调制掺杂低噪声器件[J];微纳电子技术;1991年06期
5 王忆锋;唐利斌;;AlGaN器件欧姆接触的研究进展[J];光电技术应用;2009年01期
6 王忆锋;唐利斌;;p型GaN器件欧姆接触的研究进展[J];红外技术;2009年02期
7 张广显;InAlAs/InGaAs高电子迁移率晶体管的可靠性问题[J];半导体情报;1995年02期
8 王建林,刘忠立,王良臣,曾一平,杨富华,白云霞;RTD与PHEMT集成的几个关键工艺[J];半导体学报;2005年02期
9 朱兵,鲍希茂,李和生,潘茂洪,茅保华,盛永喜;用连续CO_2激光在n-InP上制备欧姆接触[J];半导体学报;1984年05期
10 陈存礼,陈正夫,陈毅平,钟信群;高阻N型硅的欧姆接触[J];电子学报;1986年03期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 孙艳玲;孙国胜;刘肃;王雷;赵万顺;罗木昌;曾一平;林兰英;;蓝宝石(0001)衬底上p-3C-SiC欧姆接触的研究[A];2002年材料科学与工程新进展(下)——2002年中国材料研讨会论文集[C];2002年
2 郭辉;张义门;张玉明;;利用SiC:Ge形成SiC欧姆接触中间层[A];第十六届全国半导体物理学术会议论文摘要集[C];2007年
3 焦刚;陈堂胜;薛舫时;李拂晓;;蓝宝石衬底上AlGaN/GaN HEMT研究[A];2003'全国微波毫米波会议论文集[C];2003年
4 尹以安;毛明华;朱丽虹;刘宝林;张保平;;用p-InGaN/p-GaN超晶格做接触层获得低阻欧姆接触的研究[A];第11届全国发光学学术会议论文摘要集[C];2007年
5 陈继权;孙金池;李阳平;刘正堂;;CdZnTe晶体欧姆接触电极的制备工艺研究[A];第五届中国功能材料及其应用学术会议论文集Ⅲ[C];2004年
6 张跃宗;冯士维;张弓长;王承栋;;n-GaN/Ti/Al/Ni/Au欧姆接触温度特性及微结构研究[A];第十届全国敏感元件与传感器学术会议论文集[C];2007年
7 王晓双;刘仁和;;InP:Fe光导开关的研究[A];第十届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集[C];2000年
8 杨邦朝;贾宇明;高新宏;恽正中;苟立;冉均国;;热处理对掺硼金刚石膜电性能与欧姆接触的影响[A];第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];1995年
9 文于华;范冰丰;骆思伟;王钢;刘扬;;通孔结构Si衬底AlGaN/GaN HFET的热特性模拟[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
10 李春;陈刚;;离子注入工艺在4H-SiC器件中的应用[A];第十五届全国化合物半导体材料,微波器件和光电器件学术会议论文集[C];2008年
中国重要报纸全文数据库 前4条
1 罗清岳;解析LED光谱技术 挑战超高亮度LED产品[N];电子资讯时报;2006年
2 邓流沙;举行“企业技术创新院士行”活动[N];中国有色金属报;2002年
3 北方交通大学光电子技术研究所 徐叙瑢;发光显示种类繁多[N];中国电子报;2000年
4 杜小卫;常州亿晶太阳能电池银浆填补国内空白[N];中国建材报;2010年
中国博士学位论文全文数据库 前10条
1 赵智彪;GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生长及其特性研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2002年
2 郭辉;SiC器件欧姆接触的理论和实验研究[D];西安电子科技大学;2007年
3 张跃宗;高温环境及大电流密度应力下GaN基欧姆接触退化机理的研究[D];北京工业大学;2009年
4 卢洋藩;ZnO薄膜的N相关掺杂及p-ZnO欧姆接触的研究[D];浙江大学;2009年
5 张军琴;宽禁带半导体MSM结构紫外探测器的研究[D];西安电子科技大学;2009年
6 李洪芹;赝配高速电子迁移率晶体管及其微波单片集成电路研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2001年
7 李志怀;GaInAsSb红外探测器的器件与物理研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2003年
8 王平;碳化硅场效应器件的模型及关键工艺技术研究[D];西安电子科技大学;2005年
9 常远程;AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的模型研究[D];西安电子科技大学;2006年
10 罗谦;AlGaN/GaN HEMT器件物理模型和关键工艺技术研究[D];电子科技大学;2007年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 徐进;GaN欧姆接触及器件的研究[D];浙江大学;2003年
2 王帅;AlGaN/GaN HEMT微波功率特性研究[D];四川大学;2007年
3 邵庆辉;GaN基材料的欧姆接触及相关器件研究[D];浙江大学;2003年
4 李俊承;InGaAsSb半导体激光器欧姆接触的研究[D];长春理工大学;2011年
5 刘芳;碳化硅离子注入及欧姆接触的研究[D];西安电子科技大学;2005年
6 宋力君;ZnO薄膜的欧姆接触研究[D];大连理工大学;2012年
7 李嘉炜;硅基GaN欧姆接触及紫外探测器的研究[D];浙江大学;2002年
8 陈继权;CdZnTe晶体欧姆接触薄膜电极的制备工艺与性能研究[D];西北工业大学;2004年
9 刘磊;GaN欧姆接触与MSM结构紫外探测器研究[D];浙江大学;2004年
10 封飞飞;GaN基LED的N极性n型欧姆接触及老化性能研究[D];南昌大学;2011年
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026