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《半导体技术》 2006年11期
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Φ60mm掺碲GaP单晶的研制

林泉  徐小林  金攀  
【摘要】:用高压液封直拉法制备大直径GaP单晶重要的是控制拉制参数,如埚位、氧化硼厚度、热场、晶体坩埚直径比等。实验采用浮舟技术控制晶体直径,调整和控制参数使得晶体固液界面在拉制过程中始终凸向熔体,这对获得单晶非常重要。分析了晶体中电阻率、载流子浓度分布及位错分布。采用X射线双晶衍射对晶体质量进行了测试分析。

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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 杨艳;薛晨阳;张斌珍;张文栋;;用X双晶衍射法研究InGaAs/GaAs量子阱结构[J];半导体技术;2006年02期
2 田亮光,黄文慧,程佑法,刘化锋,唐欣;X射线衍射貌相技术在宝石学中的应用[J];宝石和宝石学杂志;1999年02期
3 朱南昌,李润身,陈京一;X 射线双晶衍射在新材料研究中的应用[J];材料研究学报;1991年02期
4 米侃,朱李安,赛小峰,张景文,侯洵;透射式GaAs光电阴极的X射线衍射研究[J];光子学报;1998年01期
5 韩庆林,李全保,吴刚,马庆华;大直径MCT晶体的双晶衍射回摆曲线测量[J];红外技术;2000年03期
6 蔡毅;HgCdTe晶体双晶衍射测量讨论[J];红外与激光工程;1997年02期
7 郭起志,于万里;天然金刚石孪晶的X射线衍射与形貌研究[J];矿物学报;1992年02期
8 董胜明,房昌水;ATGSP晶体缺陷的X射线形貌术研究[J];人工晶体学报;1991年01期
9 朱南昌,李润身,陈京一,许顺生;晶体表面畸变的X射线双晶衍射研究[J];物理学报;1990年05期
10 赵庆兰,黄依森,唐鼎元;三硼酸锂(LBO)单晶的位错研究[J];物理学报;1992年02期
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 郑安生;钱嘉裕;韩庆斌;邓志杰;;Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态[A];海峡两岸第七届照明科技与营销研讨会专题报告文集[C];2000年
中国硕士学位论文全文数据库 前5条
1 章建隽;ZnO薄膜结构特性研究[D];浙江大学;2002年
2 曹明德;用于高亮度发光二极管的布拉格反射器研究[D];华南师范大学;2002年
3 郑秋菊;同步辐射貌相术及金刚石晶体缺陷的貌相研究[D];燕山大学;2003年
4 黄乐;硅基半导体中氧及缺陷行为的符合正电子湮没谱研究[D];广西大学;2006年
5 李娟;低能重离子辐照GaN损伤的实验研究[D];北京大学;2008年
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 施卫,贾婉丽;用1553nm激光脉冲触发GaAs光电导开关的研究(英文)[J];半导体学报;2003年10期
2 施卫,贾婉丽,纪卫莉;基于GaAs光电导开关的超宽带微波源(英文)[J];半导体学报;2005年01期
3 赵有文;孙文荣;段满龙;董志远;杨子祥;吕旭如;王应利;;高质量InAs单晶材料的制备及其性质[J];半导体学报;2006年08期
4 焦健,潘明虎,薛其坤,包信和;硅表面纳米银团簇的氧助迁移行为[J];催化学报;2003年06期
5 李焕勇,介万奇;ZnSe体单晶生长技术[J];材料导报;2002年09期
6 赵周英,吴凤美;SI-GaAs中EL2和EL6缺陷团簇相关性研究[J];功能材料与器件学报;1996年01期
7 杨曜源,方珍意,蔡以超,王向阳,张力强,肖红涛,田鸿昌,东艳萍,李卫,郝永亮;化学气相沉积法生长透明硒化锌多晶[J];硅酸盐学报;2004年08期
8 李震宇,贺伟,杨金龙;密度泛函理论及其数值方法新进展[J];化学进展;2005年02期
9 邢小鹏,田志新,刘鹏,高振,朱起鹤,唐紫超;用于团簇研究的激光反射式飞行时间质谱仪[J];化学物理学报;2002年02期
10 孙博;姚建铨;;基于光学方法的太赫兹辐射源[J];中国激光;2006年10期
中国博士学位论文全文数据库 前2条
1 王若曦;若干半导体纳米簇材料几何结构和相关性质的理论研究[D];山东大学;2006年
2 刘红杰;超强超短脉冲激光与团簇相互作用实验研究[D];中国工程物理研究院;2007年
中国硕士学位论文全文数据库 前3条
1 唐蕾;半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究[D];河北工业大学;2003年
2 张材荣;金属及半导体团簇结构与性质的理论研究[D];西北师范大学;2004年
3 马德明;用光电导开关产生稳幅无晃动超快电脉冲的研究[D];西安理工大学;2005年
【相似文献】
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 周晓龙;大直径InP单晶制备及其半绝缘特性研究[D];河北工业大学;2010年
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