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《半导体技术》 2005年09期
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制备纳米级ULSI的极紫外光刻技术

成立  王振宇  朱漪云  刘合祥  
【摘要】:在下一代光刻技术中,由于极紫外光刻(EUVL)分辨率高、且具有一定的产量优势及传统光学光刻技术的延伸性,因而是IC业界制备纳米级ULSI器件的首选光刻方案之一。本文论述了EUVL技术的原理、加工工艺和设备,并对比分析了EUVL的生产成本、应用前景及其优缺点。

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