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《半导体技术》 2002年08期
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应用于微电子的硅基氧化锆薄膜性质研究

郑航  
【摘要】:用磁控溅射方法在Si (100) 衬底上沉积了氧化锆薄膜。研究和比较了退火前和退火后的薄膜晶体结构、表面形貌以及Al/ZrO2/Si电容的金属-绝缘体-半导体性质。700℃氮气退火后的薄膜具有高的介电常数18,且在2V时漏电流小于1×10-7A/cm2,显示了良好的电学性质。氧化锆将是一种在未来的微电子器件中大有应用前景的新材料。
【作者单位】复旦大学应用表面物理国家重点实验室
【基金】:唐仲英学生科技创新基金资助
【分类号】:TN304.055

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【引证文献】
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